欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(1)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

短沟道SOI BJMOSFET的阈值电压

曾云 , 李晓磊 , 张燕 , 张国樑 , 王太宏

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.018

提出了一种适用于短沟道SOI BJMOSFET阈值电压特性分析的电荷分享物理模型,详细讨论了短沟道SOI BJMOSFET背界面处于积累、反型以及全耗尽三种状态时的阈值电压,并利用Math-ematica软件进行数值模拟得到阚值电压的特性曲线.通过理论分析和计算机模拟,证明短沟道SOI BJMOSFET阈值电压的可控性很强,更适用于现代ULSI低压低功耗的要求.

关键词: 短沟道 , 绝缘衬底上硅 , 双极MOS场效应晶体管 , 阈值电压

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词