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双滑移取向Cu单晶的循环形变行为──Ⅰ.循环形变行为

宫波 , 王中光 , 张轶伟 , 李广义 , 张天宜

金属学报

在塑性分切应变幅(γpl)为10~(-4)─10~(-2)的范围,研究了双滑移取向([034],[117])和单滑移取向([125])Cu单晶的循环硬化及饱和行为.[034]晶体的初始循环硬化规律与[125]晶体的相似,在γpl小于10~(-3)的范围,硬化速率(θ_(0.2))较低,且不依赖于γpl;当γpl>10~(-3)时,硬化速率随γpl的增加快速上升.[117]晶体在10~(-4)<γpl<5×10~(-3)范围的初始硬化速率显著高于其它二种晶体.二种双滑移取向晶体在快速硬化之后、均有明显的软化现象.[034]晶体的循环应力-应变曲线(CSSC)有一平台区,饱和应力与单滑移晶体的相近,但平台区较短(上限为γpl~4.3×10~(-3)).[117]晶体的CSSC几乎不存在平台区,饱和应力是γpl的单调升函数,与多晶体的CSSC相似.上述循环形变行为与不同滑移系之间的位错反应特点一致.

关键词: Cu单晶 , double slips , cyclic deformation

滑移取向对循环形变Al单晶的应力响应、内耗和超声衰减的影响

夏月波 , 张天宜 , 费广涛 , 周星

金属学报

本文报道了不同取向Al单晶体在循环形变过程中的应力响应、内耗和超声衰减的变化及它们之间的关系,试验结果表明,循环应力σ、内耗Q~(-1)和超声衰减△α对晶体取向有明显的依赖性,单滑移取向和多滑移取向晶体之间,上述三量的差别很大,对同一取向晶体,σ增加对应着Q~(-1)减少和Δa增加,但Δa达到最大值需要的循环周次少于σ达到最大值所需的循环数,而Q~(-1)与σ则基本上同时达到最低值和最大值。

关键词: 晶体取向 , cyclic deformation , stress response , internal friction , ultrasonic attenuation

双滑移取向Cu单晶的循环形变行为──Ⅱ.滑移带和形变带

宫波 , 王中光 , 张轶伟 , 李广义 , 张天宜

金属学报

用光学显微镜和扫描电镜研究了双滑移取向([034],[117])Cu单晶循环饱和后的表面形貌,塑性分切应变幅(γpl)低于10~(-3)时,[034]晶体表面上要为主滑移系的驻留滑移带(PSBs)占据,次滑移只在边缘区域启动,其PSBs细窄(<1μm),体积百分数在1%以下.γpl>10~(-3)时,次滑移开始在试样的中部启动,同时,表面出现二种贯穿晶体的宏观形变带(DBI,DBII),滑移带在形变带内集中.[117]晶体在γpl=4.4×10~(-4)时,双滑移现象已十分明显.γpl>10~(-3)时,表面也形成与前者相似的形变带.DBI的惯习面与主滑移面平行([034]晶体)或接近([117]晶体),DBII的惯习面则与前者垂直,文章讨论了形变带形成的可能原因.

关键词: Cu单晶 , double slips , persistent slip band

Zn单晶解理裂纹前端的范性行为

傅苒 , 龙起易 , 张天宜 , 龙期威

材料研究学报

用蚀坑法观察了Zn 单晶解理裂纹前端位错。结果表明,裂纹前端位错密度分布具有DFZ模型预言的特征,且裂纹尖端与第一个位错的距离X_1(即DFZ 值)以及范性区位错数N 均与根据Majumdar 和Burns 的DFZ 理论推算数值吻合较好。在此基础上,对裂纹前端发射位错和位错屏蔽裂纹前端等问题作了讨论。

关键词: dislocation-free zone , effective stress intensity factor

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