张子生
,
张晓军
,
王伟伟
,
李军
,
刘超
,
韦志仁
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.015
本文采用水热法,以SnCl4·5H2O为前驱物,在180℃,填充度为68%,反应时间8h,强酸环境条件下合成了SnO2纳米金红相晶体,直径约为5～10nm,长30～100nm.加入一定量的NaOH,调节溶液pH值为强碱性(pH=11),同样条件下也合成了SnO2金红相纳米柱晶体,长200nm、直径10～20nm.提高水热反应的温度为430℃,矿化剂为3mol/L NaOH,反应时间24h,合成了亚微米金红相SnO2晶体,最大线度为300nm.
关键词:
二氧化锡
,
水热合成
,
纳米柱
,
晶体
张子生
,
尹志会
,
许贺菊
,
贾亮
,
于威
,
傅广生
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.043
采用螺旋波等离子体辅助射频溅射沉积技术在Al2O3(0001)衬底上沉积ZnO外延薄膜,通过对其结构及光学性质的分析,探讨了衬底温度对薄膜生长特性的影响.实验结果表明,由于等离子体对反应气体的活化及载能粒子对表面反应的辅助作用,采用该等离子体辅助溅射技术能够在较低的衬底温度下实现较高质量的ZnO薄膜外延生长,然而,较高的衬底温度所引起的表面反应不利于薄膜中的氧空位及锌填隙等缺陷的减少,这将限制薄膜的外延质量及光学特性的进一步提高.
关键词:
ZnO薄膜
,
衬底温度
,
螺旋波等离子体
,
外延
