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张学贵 , 王茺 , 杨杰 , 潘红星 , 鲁植全 , 李亮 , 杨宇
功能材料
采用离子束溅射技术,在不同温度的Si(100)衬底上生长了一系列Ge量子点样品,利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,结果表明,随着温度升高,量子点密度增大(750℃生长的量子点密度达到1.85×1010cm-2),均匀性变好及结晶性增强;但随生长温度升高,Si-Ge互混程度也同时加剧.
关键词: 离子束溅射 , 量子点 , 表面形貌 , Raman光谱
