张学敏
,
张立国
,
钮应喜
,
鞠涛
,
李哲
,
范亚明
,
杨霏
,
张泽洪
,
张宝顺
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.04.028
石墨烯作为一种碳原子所组成的二维蜂窝状结构晶体，具有诸多优异的特性，从而倍受全世界科学工作者的关注。在碳化硅衬底上外延生长石墨烯是实现石墨烯在微电子领域中应用的最有效途径之一。利用感应加热的高温 CVD 设备，先在4H-SiC 衬底上外延生长一层2~10μm 厚的碳化硅，然后直接再在外延碳化硅上原位外延生长石墨烯。实现外延碳化硅-石墨烯的连续生长，从而减少氢气刻蚀带来的晶格缺陷和表面硅富集严重削减现象，并使低成本制备碳化硅上的石墨烯成为可能。通过拉曼光谱、扫描电子显微镜及 X 射线光电子能谱等表征，验证了该方法生长的石墨烯具有较好的晶体质量。
关键词:
石墨烯
,
碳化硅
,
外延生长
,
晶体质量
曲轶
,
薄报学
,
高欣
,
张宝顺
,
张兴德
,
石家纬
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.036
利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱材料.利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续(500μs,100Hz)输出功率达到27W(室温),峰值波长为939～941nm,并分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素.
关键词:
分子束外延
,
阵
,
半导体激光器
邱永鑫
,
李美成
,
熊敏
,
张宝顺
,
刘国军
,
赵连城
稀有金属材料与工程
利用分子束外延(MBE)技术,在GaAs衬底上生长了高质量的GaAs/GaAsSb超晶格,并通过高分辨X射线衍射(HRXRD)技术对Sb/As交换反应进行研究.实验表明,随着衬底温度的升高,Sb解吸附速度增加,在Sb束流作用下形成的GaAs/GaAsSb超晶格中的Sb含量下降.而Sb束流大小和暴露在Sb束流中的时间对GaAs/GaAsSb超晶格中的Sb含量影响很小.这说明Sb与GaAs中的As原子的交换反应仅发生在GaAs表层,Sb原子在GaAs中的扩散距离很短.
关键词:
分子束外延
,
异质结
,
超品格
,
Sb/As交换反应
李忠辉
,
王向武
,
张宝顺
,
杨进华
,
张兴德
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.024
设计并利用LP-MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构,采用无铝的InGaP做光学包层.腔面未镀膜情况下,测试10支条宽100μm,腔长1mm的激光器样品,连续输出功率超过1W,阈值电流密度为330～490A/cm2,外微分量子效率为55%～78%,中心发射波长为(808±3)nm.
关键词:
分别限制结构
,
单量子阱
,
激光器
杨成伟
,
霍玉晶
,
陈千颂
,
赵大龙
,
秦来贵
,
张宝顺
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.06.016
自触发脉冲激光测距是一种新型的脉冲激光测距方法,该方法解决了传统脉冲激光测距测量精度与测量速度之间的矛盾.其飞行时间测量系统的设计很大程度上决定了自触发脉冲激光测距的测量精度和测量速度.设计并实现了基于CPLD的自触发脉冲激光测距的飞行时间测量系统.CPLD的使用提高了激光测距的精度,并且系统结构简单,体积小,可靠性高,非常适合高性能手持式脉冲激光测距仪.对自触发脉冲激光测距进行了实验研究,在20 m的测量范围内,获得了±0.98 mm的测距精度.
关键词:
激光技术
,
脉冲激光测距
,
自触发
,
飞行时间测量
,
CPLD
,
精度
