侯亚奇
,
庄大明
,
张弓
,
方玲
,
吴敏生
催化学报
用中频交流反应磁控溅射技术制备了具有良好光催化性能的TiO2薄膜,考察了紫外光源、反应器和溶液浓度对亚甲基蓝溶液光催化降解特性的影响.结果表明,紫外光源对TiO2薄膜光催化降解性能有较大的影响; 在计算光催化降解速率时应充分考虑光解和光氧化的影响.低压汞灯TUV为光催化降解的较好选择.动态反应系统可以有效避免光解,显著提高光催化反应速度.TiO2薄膜具有很好的光催化性能,且性能稳定.
关键词:
氧化钛
,
薄膜
,
光催化降解
,
亚甲基蓝
,
紫外光源
韩东麟
,
张弓
,
庄大明
,
沙晟春
,
元金石
功能材料
采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了CuInGa(CIG)预制膜.以N2为载气,采用固态硒化法制备获得了Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收层薄膜,考察了N2流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响.采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构.结果表明,在不同的N2流量下制备的CIGS薄膜,均具有单一的黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向.当Ar流量为0.40m3/h时,薄膜表面结构致密,晶粒大小均匀,并且Cu、In、Ga原子含量,处于制备弱p型CIGS薄膜的理想范围.
关键词:
太阳能电池
,
CIGS
,
磁控溅射
,
薄膜
,
硒化
侯亚奇
,
张弓
,
庄大明
,
吴敏生
无机材料学报
利用中频交流反应磁控溅射技术制备TiO2薄膜,利用AES、XRD和SEM分析了制得的TiO2薄膜的成分、结构和表面形貌,并利用多种降解对象研究了TiO2薄膜的光催化降解性能.结果发现:利用Ar/O2混合气体反应溅射纯Ti靶制备的TiO2薄膜符合化学计量比,呈现柱状生长.TiO2薄膜均为锐钛矿相,晶粒随薄膜厚度增加逐渐长大.制得的TiO2薄膜对亚甲基蓝、甲基橙和敌敌畏都具有确实的光催化降解效果,同时具有很好的光催化性能稳定性.
关键词:
TiO2薄膜
,
mid-frequency AC magnetron sputtering
,
photocatalytic degradation
,
methylene blue
,
methyl orange
王彤
,
刘相华
,
王国栋
,
李洪斌
,
武玉新
,
张弓
钢铁研究学报
为了得到高精度的辊缝设定值,分析了某钢铁公司热连轧厂轧机弹性方程,找出更接近实际的轧机弹性曲线,以便在假定带钢塑性系数为常数的条件下,在线动态给出带钢穿带过程中轧机弹跳值修正量.结果表明:一段轧机弹跳回归模型精度比二段轧机弹跳回归模型高一个数量级.通过动态修正轧机弹跳方程,消除了辊缝设定模型中的刚度补偿系数误差,可以提高热轧带钢头尾部厚度精度.
关键词:
热轧带钢
,
轧机弹性曲线
,
设定精度
,
辊缝
王秀梅
,
王国栋
,
刘相华
,
邹天来
,
张弓
,
李洪斌
钢铁研究
doi:10.3969/j.issn.1001-1447.2000.01.012
为了提高热连轧轧制力预设定值的精度,提出一种新的轧制力模型参数辨识方法.利用人工神经网络对以往的大量生产数据进行训练、预测,将预测结果结合轧制力模型,对轧制力模型中的温度相关系数m1、变形速度相关系数m3进行辨识.现场生产实践表明,采用辨识后的模型进行轧制力预设定,带钢头部厚度精度有明显提高.对于象本钢热连轧厂这样的老企业,这种新方法更具有在线应用的可行性.
关键词:
热连轧
,
轧制力
,
数学模型
,
神经网络
,
参数辨识
王晶晶
,
马莹
,
许涛
,
张弓
,
王东杰
,
吕保义
稀土
doi:10.16533/J.CNKI.15-1099/TF.201505012
研究了钐钴磁性废料中有价元素钐、钴的回收利方法,对磁性材料废料经过盐酸优溶、草酸沉淀、氧化除铁及灼烧等方法,成功提取出钐钴废料中的有价元素,工艺简单、生产成本低、回收利用过程不产生二次环境污染,所得产品氧化钐、氧化钴的纯度达到95％以上.
关键词:
钐钴磁性废料
,
综合利用
,
工艺
付恩刚
,
庄大明
,
张弓
,
杨伟方
,
赵明
功能材料
工作气压在ZnO∶Al(ZAO)薄膜制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能.本文利用中频交流磁控溅射方法, 采用氧化锌铝(ZnO与Al2O3的质量比为98∶2)陶瓷靶材, 在基体温度为250℃,工作气压范围为0.2～8.0Pa条件下,制备了ZAO薄膜.利用X射线衍射仪和原子力显微镜对薄膜的结构和形貌进行了分析和观察,利用分光光度计和霍尔测试仪测量了薄膜的光学和电学性能,研究了制备薄膜时不同的工作气压(氩气压力PAr)对薄膜的结构、形貌、光学性能和电学性能的影响.结果表明:随着工作气压的增加,薄膜的电阻率先略有下降然后上升,相应地,载流子浓度和迁移率先略有上升然后下降,而可见光谱平均透过率保持在80%以上. 当基体温度为250℃,氩气压力为0.8Pa时,薄膜的电阻率最低,为4.6×10-4Ω*cm,方块电阻为32Ω时,在范围为490～600nm的可见光谱内的平均透过率可达90.0%.
关键词:
磁控溅射
,
ZAO薄膜
,
工作气压
,
电阻率
,
透过率
王超
,
庄大明
,
张弓
,
吴敏生
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2003.03.019
采用直流脉冲反应磁控溅射方法制备了高介电常数五氧化二钽(Ta2O5)薄膜.利用Ta/Ta2O5/Ta的MIM电容结构分析了Ta2O5的电学性能,研究了上电极面积对Ⅰ-Ⅴ特性的影响、Ⅰ-Ⅴ曲线的对称性和零点偏移以及薄膜缺陷和基底粗糙度对MIM电学性能的影响.结果表明,随着上电极面积增大,电容的漏电流密度增大,击穿场强减小.氧化钽薄膜中缺陷的存在和粗糙度增大容易引起漏电流增大,击穿强度降低.当上电极直径为1 mm时,MIM电容的性能最佳:击穿强度为2.22MV/cm,漏电流密度低于1×10-8A/cm2.
关键词:
无机非金属材料
,
氧化钽薄膜
,
磁控溅射
,
金属-绝缘体-金属
,
Ⅰ-Ⅴ特性
