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锡对AlMgZnSnx多组元合金自腐蚀电位的影响

甘章华 , 熊梅 , 张思 , 梁宇 , 刘静

腐蚀与防护

研究了锡对AlMgZnSnx多组元合金的自腐蚀电位和自腐蚀电流密度的影响.采用大气造渣保护熔炼制备了合金铸锭,铸锭尺寸为φ10 mm× 60 mm.采用电化学工作站测定了AlMgZnSnx合金在3.5%NaCl溶液中的电化学性能.结果表明,在AlMgZn合金中加入大量锡时,合金的自腐蚀电位并不升高,当锡的质量百分比达到95%时,合金的自腐蚀电位仍低达-1.37 V(vs.SCE).随着锡含量增加,AlMgZnSnx合金的自腐蚀电流密度呈现先增加后降低的趋势.自腐蚀电流密度值在10-3至10-5 A/cm2数量级之间变化.

关键词: , AlMgZn合金 , 自腐蚀电位 , 自腐蚀电流密度

应变对四方相BaTiO3缺陷及极化的影响

张思 , 马颖 , 周益春

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.12047

采用第一性原理方法, 模拟了应变对四方相BaTiO3(BTO)空位形成能的影响, 并计算了应变和双空位共同作用下BaTiO3体系的极化. 计算结果表明, 应变改变了空位形成能, 且在–3%到3%的应变范围内, 氧空位的形成能逐渐减小, 亦即压应变抑制了氧空位的形成, 这与Ti–O键的变化有关. 此外压应变在改变双空位形成能的同时, 增大了体系的极化和极化偏移, 对于1A和2A组合的双空位即使在–3%的应变下其极化偏移也只有1 μC/cm2和0.3 μC/cm2, 而极化偏移是印记效应的表现, 因此应变对印记效应的影响很小, 可以忽略.

关键词: 应变; 缺陷; 极化; 第一性原理; 印记效应

应变对四方相BaTiO3缺陷及极化的影响

张思 , 马颖 , 周益春

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.12047

采用第一性原理方法,模拟了应变对四方相BaTiO3(BTO)空位形成能的影响,并计算了应变和双空位共同作用下BaTiO3体系的极化.计算结果表明,应变改变了空位形成能,且在-3%到3%的应变范围内,氧空位的形成能逐渐减小,亦即压应变抑制了氧空位的形成,这与Ti-O键的变化有关.此外压应变在改变双空位形成能的同时,增大了体系的极化和极化偏移,对于1A和2A组合的双空位即使在-3%的应变下其极化偏移也只有1μC/cm2和0.3μC/cm2,而极化偏移是印记效应的表现,因此应变对印记效应的影响很小,可以忽略.

关键词: 应变 , 缺陷 , 极化 , 第一性原理 , 印记效应

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