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镀液组成对铬-金刚石复合电沉积的影响

何湘柱 , 黄利勇 , 张文俊 , 宋清

电镀与涂饰

以紫铜片为基体,采用电沉积法在三价铬镀液中制备了铬-金刚石复合镀层.在pH=1.0、电流密度12 A/dm2、搅拌速率150 r/min、温度30℃及施镀时间15 min的条件下,研究了镀液中主要组分的质量浓度对铬-金刚石复合镀层厚度和外观的影响,得到较好的镀液配方为:CrCl3·6H2O 170 g/L,HCOOK60 g/L,KC1 20 g/L,CH3COONa·3H2O 20 g/L,NH4C1 60 g/L,超细金刚石25 g/L.采用该配方制备的Cr金刚石复合镀层表面平整、裂纹细小,金刚石颗粒均匀镶嵌在铬镀层中,显微硬度高达1 292.6 HV,综合性能优于纯铬镀层.

关键词: , 金刚石 , 复合电镀 , 镀液组成 , 厚度 , 外观

工艺参数对电渗析法再生化学镀镍废液的影响

何湘柱 , 宋清 , 黄利勇 , 张文俊 , 赵国鹏

电镀与涂饰

采用电渗析法研究了化学镀镍废液的再生工艺,分析了温度、膜间距以及物料流速对镀液中HPO32-的去除率以及Ni2+、H2PO2-损失率的影响.得出适宜的工艺条件为:温度26℃,膜间距5 cm,物料流速25 s/L.对再生镀液所得镀层的性能进行了测试,并通过扫描电镜和X射线衍射进行了微观形貌及结构分析.结果表明:在适宜条件下再生镀液所得镀层的性能与新开缸镀液所得镀层相近,其微观形貌与新开缸镀液使用至第三周期所得镀层的微观形貌相似,该镀层具有非晶态结构.

关键词: 化学镀镍 , 废液 , 电渗析 , 再生 , 形貌 , 微观结构

烧结温度对WO_3系电容-压敏复合陶瓷电性能的影响

王天国 , 邵刚勤 , 李喜宝 , 张文俊

稀有金属材料与工程

研究了烧结温度对WO_3系电容-压敏复合陶瓷显微结构、非线性电学性能及介电性能的影响.随着烧结温度从1050 ℃到1200 ℃的升高,WO_3陶瓷的晶粒尺寸增大,压敏电压随之降低.在1150 ℃烧结条件下,掺杂0.8 mol% Y_2O_3 的WO_3 压敏陶瓷样品表现出优良的综合电性能,其非线性系数为3.5,相对介电常数为1.13×10~4.然而,过高的烧结温度,不利于样品的非线性电学性能.WO_3系电容-压敏复合陶瓷较适合的烧结温度为1150 ℃,这是因为,在此温度下最有利于样品的晶界势垒结构的形成.

关键词:

基于光学的真三维触控定位与识别方法研究

田晶 , 田丰 , 凌晨 , 王鹤 , 张文俊

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20132801.0064

通过介绍真三维显示技术与无标记空间定位原理,提出了真三维两点触控实现方法,搭建了真三维两点触控定位与识别系统.针对真三维空间定位绘制、空间两点跟踪和手势识别问题,研究了真三维两点触控交互方法.实验证明,在不需要佩戴任何标记和传感器的条件下,基于光学的空间两点触控方法与系统能够满足真三维显示的人机交互要求,且环境光的变化不干扰人机交互的操作.

关键词: 真三维 , 光学触控 , 空间定位 , 手势识别

四价铈电化学再生用钛基阳极的寿命研究

郭丽潇 , 武明亮 , 张文俊 , 梁宇 , 刘宇辰 , 王永仙

材料保护

放射性金属进行铈-硝酸化学去污后产生较多的二次废液,电化学再生技术可以有效地再生四价铈,使得去污液可循环使用.由于四价铈与硝酸的强氧化性与强腐蚀性,对四价铈电化学再生工艺用电解阳极有较高要求.在硝酸体系下依据电化学再生工艺参数进行金属氧化物涂层钛阳极(DSA)强化寿命试验研究,分析了不同基材与涂层的阳极电极强化寿命曲线,并对电极涂层活性元素含量与表面形态的变化进行了比较.结果表明,在硝酸电解体系下钛镀铱钽与钛钯镀铱钽阳极稳定性好且具有良好的寿命,适用于四价铈电化学再生工艺工业化应用.

关键词: 电化学再生 , 四价铈 , DSA , 强化寿命

铝基体复合电沉积镍-碳纳米管复合镀层

何湘柱 , 张文俊 , 胡贞平

电镀与涂饰

采用电沉积法在铝基体上制备了镍-碳纳米管复合镀层,探讨了镀液中碳纳米管含量、电流密度、搅拌速率、温度、电镀时间等因素对镀层碳纳米管含量和厚度的影响,得出制备镍-碳纳米管复合镀层的适宜工艺条件为:碳纳米管质量浓度4 g/L,电流密度8 A/dm2,搅拌速率440 r/min,温度40°C,沉积时间40 min。采用扫描电镜和X射线衍射仪对镀层表面形貌和成分进行分析,通过电化学测试比较了不同镀层在不同腐蚀介质中的耐腐蚀性。与纯镍镀层相比,镍-碳纳米管复合镀层的晶粒尺寸更小,表面更粗糙,耐腐蚀性更好。

关键词: , , 碳纳米管 , 复合镀层 , 电沉积 , 耐蚀性

α-羟基-α-氨甲酰基酰胺类化合物的合成新方法

陈晓娟 , 张文俊 , 陈建新

应用化学 doi:10.11944/j.issn.1000-0518.2015.05.140301

N,N-二甲氨酰基三甲基硅烷与一系列α-羰基酰胺在无水无氧、105℃的条件下反应,较高产率地合成了α-羟基-α-氨甲酰基酰胺类化合物或α-三甲基硅氧基-α-氨甲酰基酰胺衍生物.其结构用元素分析、1H NMR、13C NMR和IR等技术手段进行了表征.通过研究反应机理和影响反应的因素发现,在α-羰基上连的烃基的空间位阻是该加成反应的重要影响因素,而电子效应则影响反应的速率.提出了可能的反应机理.

关键词: 氨甲酰基硅烷 , α-羰基酰胺 , α-羟基-α-氨甲酰基酰胺 , 加成反应

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