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覆钴型氢氧化镍的电化学性能研究

赫文秀 , 张永强 , 蒋文全 , 张文广

人工晶体学报

采用化学共沉积方法,在球形Ni(OH)2表面包覆不同含量的Co(OH)2.用扫描电子显微镜(SEM)和恒电流充放电技术测试其表面微观形貌和充放电性能.研究结果表明:倍率放电性能与包覆Co(OH)2的量有一定的关系,在高倍率放电条件下,包覆层含Co(OH)2量最佳范围为2% ~ 3.6%,镶嵌Co(OH)2包覆层的球形Ni(OH)2具有良好的放电容量和大电流充放电性能.

关键词: 球型Ni(OH)2 , 氢氧化钴 , 包覆 , 大电流 , 放电容量

采用MPCVD法在硅衬底上选择性生长金刚石膜

史伟民 , 王林军 , 张文广 , 居建华 , 夏义本

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.03.023

采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法在附有SiO2掩摸的硅衬底上选择性沉积出 了金刚石膜。采用扫描电子显微镜(SEM)和Raman光谱仪对金刚石膜的表面形貌和结构进行 了表征,并讨论了衬底温度对金刚石薄膜选择性沉积的影响,得出了较佳的沉积条件。

关键词: 金刚石膜 , 选择性生长 , MPCVD

氢氧化镍表面包覆Co(OH)2及其大电流充放电性能

张文广 , 蒋文全 , 于丽敏 , 傅钟臻 , 夏雯

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.06.013

在惰性气氛保护下, 采用"梯度共晶"-络合共沉积方法, 在球形Ni(OH)2表面包覆不同含量的Co(OH)2. 利用X射线衍射、扫描电镜和恒电流充放电技术测试其相结构、表面微观形貌和充放电性能. 研究结果表明: 镶嵌Co(OH)2包覆层的球形Ni(OH)2具有良好的放电容量和大电流充放电性能. 倍率放电性能与包覆Co(OH)2的量有一定的关系. 在0.8C充电/0.4C放电条件下, 包覆层最佳含Co(OH)2量为0.8%; 而在1C充放电、 2C充电/1C放电和3C充放电条件下, 包覆层含Co(OH)2量最佳范围为2%~3.6%. 表面包覆价态稳定Co(OH)2是改善氢氧化镍电极大电流充放电性能的一条有效途径.

关键词: 球型Ni(OH)2 , 氢氧化钴 , 包覆 , 大电流 , 放电容量

氢氧化镍正极材料电化学性能研究

张文广 , 焦殿辉 , 姚远 , 金刚 , 蒋文全

稀有金属材料与工程

采用化学共沉积方法制备了5种不同化学成分的氢氧化镍正极材料.用含有Co、Zn、Ca、Mg、Cu或者Mn元素的化合物与硫酸镍混合,在一定的搅拌速率、温度和pH值下使之相互发生反应.XRD衍射分析表明所制备材料的显微结构为β-Ni(OH)2.SEM图片显示氢氧化镍为球形颗粒,且颗粒表面略显粗糙.电化学测试结果表明氢氧化镍样品B在不同的充放电倍率和温度下具有优异的性能,25和65℃下、充放电倍率分别为1和3C时氢氧化镍样品B的放电容量均超过了285 mAh·g-1.实验表明,通过化学共沉积其他元素可以制备性能优异的氢氧化镍正极材料,这将有益于改进镍氢电池的性能.

关键词: 氢氧化镍 , 高温 , 高充放电倍率 , 镍氢电池

偏压对金刚石薄膜选择性成核和生长影响的研究

张文广 , 夏义本 , 居建华 , 王林军

功能材料

利用偏压增强MPCVD法成功地实现了金刚石薄膜在附有SiO2掩膜图形的镜面抛光的Si(100)上的选择性织构生长,列举了最佳偏压成核与选择性生长条件,SEM和Raman光谱对所得样品进行了表征,并对偏压对选择性成核和生长的影响机制进行了探讨.

关键词: 金刚石薄膜 , 偏压形核 , 选择性生长

球形覆Co氢氧化镍的合成及性能研究

赫文秀 , 张永强 , 蒋文全 , 傅钟臻 , 于丽敏 , 张文广

硅酸盐通报

在自行设计制作的管式反应器中,采用化学沉积包覆的方法在球形氢氧化镍表面包覆了一层Co(OH)2膜,通过实验发现,pH值和络合剂的浓度对包覆反应有很重要的影响.表面覆钴量不同,其表面形貌、电化学循环稳定性和大电流充放电性能也有很大差异.本文利用X射线衍射仪、扫描电镜和恒流充放电技术测试了其相结构、表面微观形貌和循环寿命等方法,确定了合适的氢氧化镍表面覆钴量.

关键词: 管式反应器 , 球形氢氧化镍 , Co(OH)2 , 表面包覆

乙烯基三乙氧基硅烷(VS)水解关键工艺

冯军 , 杨丽霞 , 张文广 , 顾涛 , 林伟伟

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2009.06.021

采用硅烷偶联剂对金属进行预处理是一种新型、环保的表面处理工艺,可以显著提高涂层的结合力及金属耐蚀性能,有望替代传统的磷化和钝化处理,而水解过程是决定金属表面硅烷化预处理好坏的关键.采用反射吸收红外光谱法研究了温度、pH、醇水比及硅烷体积分数等关键因素对乙烯基三乙氧基硅烷水解的影响,确定了水解液中获得最多硅醇单体时的水解工艺参数;在一定温度范围内,硅烷溶液水解程度随着水解温度的升高而增大;通过比较Si-O-Fe与Si-O-Si峰强的变化,确定Si-O-Fe与Si-O-Si在金属表面存在竞争协同作用.

关键词: 乙烯基三乙氧基硅烷 , 硅烷偶联剂 , 水解 , 金属 , 预处理

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