陈镇平
,
石开
,
张晓勇
,
苏玉玲
,
薛运才
,
王春梅
,
张金仓
低温物理学报
系统研究了Gd5Ge4合金的结构和磁特性的温度依赖关系,结果表明,实验样品Gd5Ge4室温下具有典型的pmma空间群正交结构,通过测量该合金场冷(FC)和零场冷(ZFC)下的热磁曲线以及交流磁化率随温度变化曲线,结合不同温度下的磁滞回线(M～H),观察到当外加磁场为1T时,体系在几个特征温度T1=10K、T2=26K、Ts-127K和T4=235K附近磁化强度出现了异常变化,反映在这些特征温度下的体系出现了复杂的多重磁转变行为,初步分析了在各特征温度附近发生的磁相变的属性,探讨了相分离中铁磁成分与温度的关联,其结果对扩展包括强关联锰氧化物在内的相分离体系物理机理的理解具有一定的参考价值和借鉴意义.
关键词:
Gd5Ge4合金
,
磁相变
,
相分离
,
磁热效应
陈镇平
,
薛运才
,
苏玉玲
,
张晓勇
,
曹世勋
,
张金仓
功能材料
系统研究了Gd_5Ge_4合金的晶体结构和低温磁化行为.结果表明,Gd_5Ge_4具有相分离特征,低温下出现反铁磁(AFM)和铁磁(FM)共存现象.由于相分离的存在导致127K时发生奈尔反铁磁转变.在外磁场诱导下,在4.2K以下发生AFM-FM磁转变,并导致台阶式磁化现象发生,但仅发生在第一次外加磁场增加过程中,表现出磁不可逆性.随磁场升高,在10K以下体系存在类台阶式响应和不可逆的磁滞行为,并在5572kA/m下均达到饱和磁化.在温度50～60K温区,磁循环所出现的台阶式磁化转变则是完全可逆的,更高温区域则表现为部分铁磁直至室温下的顺磁特性.
关键词:
Gd_5Ge_4合金
,
低温磁性
,
相分离
,
台阶式磁化跳跃
张晓勇
,
刘永生
,
曹桂新
,
敬超
,
曹世勋
,
张金仓
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.04.001
报告了作者对Gd5Ge4合金样品进行了磁化和电输运测量的研究结果,实验表明,磁化强度随外磁场的增加而出现台阶式跳跃,磁转变的可逆性与温度存在有密切的关联. 在由磁场导致的磁转变附近电阻率随着磁场的增加亦表现出台阶式磁电阻现象,并在不同温区表现出正负不同的磁电阻效应,4.2 K时呈现正磁电阻效应,而在16和20 K时呈现出负磁阻效应,即铁磁相的阻值小于反铁磁相的阻值. 结果证明了在Gd5Ge4中存在的典型相分离特征,从而在磁场诱导下发生了反铁磁到铁磁的转变,并对这种奇异磁电阻效应的物理机制进行了讨论.
关键词:
Gd5Ge4合金
,
相分离
,
台阶式磁化
,
磁电阻效应
许德平
,
黄正宏
,
张晓勇
,
王永刚
,
康飞宇
材料导报
分析了纳米TiO2光催化活性影响因素,综述了TiO2与金属阳离子、非金属元素及稀土氧化物的掺杂及与多孔材料的复合技术,指出掺杂与复合技术是提高TiO2光催化活性的重要手段,此外,在有效利用可见光方面,这2种技术具有一定的前景.
关键词:
纳米TiO2
,
光催化活性
,
掺杂
,
复合
张晓勇
,
晁明举
,
梁二军
,
胡帆
,
袁斌
无机材料学报
采用磁控溅射法制备了不同V含量的纳米TiO2薄膜,利用SEM、XRD、Raman光谱和UV-vis吸收光谱对V掺杂TiO2薄膜的表面形貌、结晶特性、晶格应力和光吸收性能进行了分析.结果表明,V掺杂可促进TiO2薄膜晶粒的定向生长,得到尺寸分布较均匀的哑铃状晶粒,且可抑制薄膜的晶格膨胀和金红石型晶粒的生成.V掺杂TiO2薄膜处于压应力状态,且应力随V含量增加而增大.V掺杂使导带底向带隙延伸,TiO2薄膜光学带隙变窄,光响应范围从紫外区红移到可见光区域,提高了薄膜对可见光的吸收率.
关键词:
二氧化钛薄膜
,
钒掺杂
,
微观结构
,
光吸收性能
田力
,
张晓勇
,
毛启楠
,
李学耕
,
于平荣
,
王东
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140182
采用溅射后硒化法制备CIGS电池吸收层,并在此基础上制备具有glass/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:A1/Ni-A1结构的CIGS电池.实验研究了真空退火对电池性能的影响.通过优化退火条件,电池光电转换效率从4.91％提高到14.01％.进一步研究发现,退火有助于改善部分单层薄膜的性能,但是其对电池性能的提升主要来自来于:1)退火促使Cd2+扩散进入CIGS表面取代Vcu,钝化浅能级缺陷的同时形成n-CIGS,使p-n结进入CIGS层内部,从而大幅减少了界面复合中心;2)退火使得CIGS表面吸附的H2O分子脱附,提高了CIGS电学和带隙均匀性,从而改善电池的均匀性,电池性能得到全面提升.
关键词:
CuInxGa1-xSe
,
退火
,
溅射后硒化
,
均匀性
,
同质结
