张晓玲
,
孟庆端
,
普杰信
,
张雪强
,
何豫生
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.02.013
铁电薄膜的介电常数随外加电场强度的增加而减小.依据铁电薄膜的这一特性,提出了一种新颖的基于共面传输线结构的铁电薄膜可调带通滤波器.为了减小传输损耗,滤波器的导体部分由超导薄膜构成.滤波器的输入输出采用抽头线的方式分别与谐振器相接,外加电压通过输入输出端口直接施加到共面谐振器缝隙处的铁电薄膜上,用以改变铁电薄膜的介电常数,从而改变谐振器的谐振频率,实现带通滤波器通带频率的移动.这种新型可调带通滤波器具有结构紧凑、尺寸小及施加外加偏压容易等优点.仿真结果表明:铁电薄膜的介电常数在外加偏压下从250减小到150时,带通滤波器的传输特性曲线的形状基本保持不变,通带的中心频率从10.283GHz增加到10.518GHz,其3dB带宽保持在0.150GHz左右,反射损耗始终小于-17dB.
关键词:
铁电薄膜
,
介电常数
,
滤波器
,
可调带通滤波器
孟庆端
,
张晓玲
,
周鲁英
,
张雪强
,
何豫生
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.02.014
提出了一种基于电磁带隙结构的低通滤波器实现形式,这种新型低通滤波器采用电容周期性加载共面(Coplanar Waveguide)传输线结构的形式.为了减小通带内波纹、显著提高阻带信号抑制,电容单周期性加载结构被调整为电容双周期性加载结构,同时在共面传输线的接地面上引入了双周期性的长方形缺陷地结构.基于上述方案设计制作了一个高温超导低通滤波器,仿真及测试结果表明:低通滤波器的带外抑制平均增加了约20 dB,带内传输损耗波纹显著变小.
关键词:
电磁带隙结构
,
共面波导
,
高温超导低通滤波器
张晓玲
,
孟庆端
,
李娜
,
张雪强
,
何豫生
低温物理学报
基于双周期性电容加载共面波导传输线的移相器结构,系统研究了温度变化对铁电薄膜移相器移相能力、传输损耗的影响.调整温度可以在一定的范围内实现对移相器性能指标的微调.给出了加载因子对移相能力的示意曲线图,并在实验上,借助氩离子刻蚀技术,改变加载因子的大小,使得移相器的优值从原来的13degree/dB提升到23degree/dB.
关键词:
钛酸锶钡薄膜
,
共面移相器
,
优值
张晓玲
,
王炳玲
,
陆晓梅
,
张琦
,
张正东
色谱
doi:10.3724/SP.J.1123.2012.08020
建立了室内灰尘样品中8种常见多溴联苯醚(PBDEs:BDE-28、BDE-47、BDE-99、BDE-100、BDE-153、BDE-154、BDE-183和BDE-209)的气相色谱-负化学电离源质谱(GC-NCI/MS)分析方法.样品经吸尘器采集、正己烷超声萃取、浓缩后,采用GC-NCI/MS测定.结果表明,方法的加标回收率为53.2％ ～107.6％,日内测定的相对标准偏差(RSD)为2.8％～16.5％,日间测定的RSD为6.4％～22.6％.除了BDE-209的检出限(信噪比为3)为0.15ng/g外,其他多溴联苯醚的检出限为0.003～0.015 ng/g.该方法灵敏度高,准确度和精密度好,简便快速,溶剂消耗量少,适用于灰尘中三溴～十溴联苯醚的测定.
关键词:
超声辅助萃取
,
气相色谱-负化学电离源质谱
,
多溴联苯醚
,
室内灰尘
王炳玲
,
张晓玲
,
张琦
,
陆晓梅
,
崔媛
,
张正东
色谱
doi:10.3724/SP.J.1123.2013.09007
建立了测定室内灰尘样品中39种多氯联苯(PCBs)的分析方法.样品经吸尘器采集、正己烷-二氯甲烷(1∶1,v/v)超声萃取、浓缩后,利用气相色谱-三重四极杆质谱法(GC-MS/MS)在选择反应监测(SRM)模式下测定.结果表明,39种PCBs在30 min内得到了很好的分离,在0.1 ～ 100 μg/L范围内线性关系良好,相关系数为0.991 0～0.999 9,方法的加标回收率为57.2％ ～120.3％,日内测定的相对标准偏差(RSD)为0.3％ ～ 24.7％,日间测定的RSD为0.6％ ～ 29.9％,检出限(信噪比为3)为0.000 3 ～0.208 0 ng/g.本方法灵敏度高、准确度和精密度好,简便快速,溶剂消耗量少,适用于灰尘中多种多氯联苯的同时测定.
关键词:
气相色谱-串联质谱
,
多氯联苯
,
室内灰尘
张晓玲
,
胡奈赛
,
何家文
无机材料学报
采用 Ｆ Ｔ Ｉ Ｒ、 Ｔ Ｅ Ｍ、 Ｓ Ｅ Ｍ 等技术， 对在渗硼层表面经ｒ.ｆ. Ｐ Ｃ Ｖ Ｄ 沉积的 Ｂ Ｎ 膜进行了研究试验证明， 与采用 Ｎ２ 气和 Ｈ２ 气相比， 以 Ａｒ ＋ １０ｖｏｌ％ Ｈ２ 作为载气， 所获得的膜层ｃ-Ｂ Ｎ 含量最高， 膜厚最大， 可达４.６μｍ ， 且膜基结合良好而以 Ｎ２ 气或 Ｈ２ 气为载气时， 前者会导致膜基结合力大大下降， 后者会引起沉积速度明显降低结果表明， 对于 Ｐ Ｃ Ｖ Ｄ 过程， 控制ｃ- Ｂ Ｎ 形成的主要因素是离子轰击能量的转移， 而不是氢的选择溅射过程试验获得的膜层由ａ- Ｂ Ｎ 和ｃ- Ｂ Ｎ 组成， ｃ- Ｂ Ｎ的尺寸为２０ ～４０ｎｍ
关键词:
c-BN膜
,
null
,
null
张晓玲
,
胡奈赛
,
何家文
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.013
采用红外分析、金相技术及和透射电子显微(TEM)技术分析了射频PCVD法沉积氮化硼膜的形成过程.结果表明,在沉积过程中,非晶态氮化硼(a-BN)作为领先相首先按平面方式生长,然后立方氮化硼(c-BN)在其上成核,并靠沉积原子表面迁移过程而长大,这种过程交替进行的结果,使膜层由a-BN和c-BN组成.膜层的表面呈层状+胞状形貌,说明薄膜的生长不仅取决于固体表面的扩散,而且也与气相成分的扩散有关.
关键词:
立方氮化硼
,
薄膜形成
,
等离子体化学气相沉积(PCVD)
,
超硬材料
,
形貌
