欢迎登录材料期刊网
李瑞 , 张析 , 张丹青 , 向钢
材料导报
系统地分析了压强和温度在热蒸发法生长中对Si纳米线的产量和形貌结构的影响,并全面解析了用热蒸发法制备Ⅳ族纳米线的氧化物辅助生长机理.同时,对国内外采用热蒸发法制备第Ⅳ族半导体(Si、Ge、SiGe)纳米线的研究现状进行了详细介绍,并展望了其应用前景.
关键词: 热蒸发法 , 第Ⅳ族半导体 , Si纳米线 , Ge纳米线 , SiGe纳米线
