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用于集成成像的针孔/微透镜组合阵列设计与仿真

周雄图 , 陈恩果 , 姚剑敏 , 徐胜 , 曾祥耀 , 林金堂 , 张永爱 , 郭太良

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20132806.0855

集成成像3D显示是一种利用微透镜阵列进行三维信息记录和重现的技术,针对集成成像3D显示过程中,微透镜之间间隙导致的杂散光引起干扰以及微透镜所成像之间的串扰导致的重构图像质量下降原因,采用针孔阵列的不透光部分来屏蔽杂散光,构建了针孔/微透镜组合阵列结构.根据集成成像原理,分析针孔/微透镜组合阵列的参数,并利用Tracepro光学软件对集成成像3D显示过程进行仿真,结果显示:在记录和重构阶段,针孔/微透镜组合阵列都能有效减少通过微透镜之间间隙的杂散光引起的与成像无关的亮斑,提高图像显示质量;当记录阶段和重构阶段均采用针孔/微透镜组合阵列时,得到的重构图像质量最好.

关键词: 光学设计 , 集成成像3D显示 , 针孔阵列 , 微透镜阵列

碳纳米管场致发射平面背光源

游玉香 , 苏艺菁 , 叶芸 , 汤巧治 , 张杰 , 张永爱 , 郭太良

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.04.014

通过酸化、球磨、超声分散等工艺制备碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNT)悬浮液,利用电泳沉积技术制备CNT阴极,并真空封装制备成25.4 cm(10 in)的CNT场致发射平面背光源器件.采用扫描电子显微镜对CNT阴极样品的表面形貌进行表征,并对器件的场致发射性能进行测试.结果表明,当电场为1.76 V/μm时,CNT场致发射平面背光源器件的亮度为6 500 cd/m2,亮度均匀性为89%,可应用于液晶显示器的背光源.

关键词: 碳纳米管 , 背光源 , 电泳 , 场致发射

基于CNT-Ni丝状阴极的场发射荧光灯

苏艺菁 , 游玉香 , 胡利勤 , 汤巧治 , 张杰 , 张永爱 , 郭太良

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.04.029

采用电泳法在金属镍(Ni)丝表面沉积碳纳米管(CNT)材料,制备成CNT-Ni丝状阴极,并在圆柱形玻璃灯管中对其进行二极结构的场发射性能测试.结果表明,CNT材料呈网状结构均匀平铺于Ni丝表面,CNT-Ni丝状阴极具有良好的场发射性能,开启场强为0.82 V/μm;当阳压为3 400 V时,电流为2.3 mA,发光亮度达到7 500 cd/m2;阳压为4 000 V时,丝状阴极场发射电流连续测试10 h变化不大.

关键词: 碳纳米管 , 丝状阴极 , 场发射荧光灯

ZnO纳米材料制备及其场发射性能的研究

林志贤 , 张永爱 , 覃华芳 , 郭太良

功能材料

采用水热法制备形貌和尺寸各异的纳米ZnO材料.用X射线衍射分析仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)测试产物结构和表面形貌,分析影响纳米ZnO材料生长的因素,探讨纳米ZnO的生长机理.研究了各种形貌ZnO阵列的场致发射特性.实验结果表明,在各种ZnO纳米结构中,纳米管的场致发射性能最好,其最大电流密度可达到0.2mA/cm~2,开启场强2.5V/μm,为寻求良好场发射性能的ZnO纳米材料提供了一个可行的途径.

关键词: ZnO纳米材料 , 水热法 , 表面形貌 , 场发射性能

电泳沉积制备平行栅碳纳米管场发射阴极的研究

张永爱 , 林金阳 , 吴朝兴 , 郑泳 , 林志贤 , 郭太良

功能材料

利用磁控溅射、光刻、湿法刻蚀和电泳技术在玻璃基片上成功制备平行栅场发射阴极阵列,用光学显微镜、场发射扫描电镜和拉曼光谱观察了碳纳米管的形貌和结构,并测试所制备的平行栅碳纳米管阴极的场发射性能.光学显微镜和场发射电子显微镜测试表明,平行栅结构阴极和栅极交替地分布,同一个平面内,CNTs有选择性地沉积在平行栅结构中的阴极表面.场发射测试表明,平行栅CNTs场发射阴极的开启电压为 155V,发射电流高达268μA,场发射特性完全由栅压控制;此外,其场发射特性与丝网印刷工艺制备的阴极有相似甚至更佳的性能,开启电压更低,发光均匀性更好,具有更好的发射特性.

关键词: 碳纳米管 , 平行栅 , 场发射 , 电泳 , 丝网印刷

氧化铋纳米线的制备及场发射性能研究

林金阳 , 张永爱 , 王灵婕 , 郭太良

功能材料

以NaOH和Bi(NO3)3·5H2O为原料,以庚烷、油酸和丙酮为分散剂,在室温下,制备氧化铋纳米线材料.通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射分析仪(XRD)分析产物结构和形貌,分析可知该氧化铋纳米线直径约50nm,长度几微米至几十微米之间.通过丝网印刷,制备氧化铋纳米线阵列,并进行场发射性能测试,结果表明,当电流密度0.1μA/cm2时,开启电场2.6V/μm,良好的场发射性能说明氧化铋纳米线在场发射平板显示及真空电子器件方面具有较好的应用潜力.

关键词: 氧化铋 , 纳米线 , 场发射 , 开启电场

基于氧化锌纳米线表面传导场发射阴极的研究

张永爱 , 林金阳 , 吴朝兴 , 郑泳 , 林志贤 , 郭太良

功能材料

利用热蒸发和丝网印刷技术在玻璃基底上成功制备了氧化锌纳米线表面传导场发射阴极阵列,并测试其场发射性能。扫描电镜表明,在氩气和氧气流量分别为60和1mL/min,反应温度550℃保温30min条件下制备的氧化锌纳米线均匀垂直生长在玻璃基底上,直径大约在80~200nm,长度〉7μm。场发射测试表明,在阳压2000V和阴阳间距为500μm时,ZnO纳米线表面传导场发射阴极的开启电压为70V;在栅压为96V时,电子发射效率为26.2%,高于传统报道的表面传导电子发射器件,在经过80min的老练后发射接近稳定,平均发射电流接近135μA,表明ZnO纳米线表面传导场发射阴极有着稳定高效的场发射性能。

关键词: 氧化锌 , 表面传导场发射 , 热蒸发 , 丝网印刷 , 场发射特性

两步水热法制备枝干状ZnO 纳米结构的研究

周雄图 , 林锑杭 , 曾祥耀 , 张永爱 , 郭太良

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.21.012

采用两步水热法,第1步利用 Au 作为催化剂生长 ZnO 纳米杆;第2步利用醋酸锌分解成 ZnO纳米颗粒作籽晶层在ZnO 纳米杆的侧壁生长 ZnO 纳米枝条,在Si片上成功制备了枝干状 ZnO 纳米结构。利用 SEM、XRD 分别表征枝干状 ZnO 纳米结构的形貌和晶体结构,研究籽晶层、反应液浓度、反应时间等参数对枝干状ZnO 纳米结构形貌的影响。结果表明, Au作为催化剂生长的 ZnO 纳米杆具有沿(103)面择优取向生长的特性,而籽晶层对在侧壁生长 ZnO 纳米枝条至关重要。通过调节反应参数,可控制枝干状ZnO 纳米结构的形貌,当反应液浓度越小,反应时间越长,纳米枝条越细、越长。所制备的枝干状 ZnO 纳米结构具有很好的生物兼容性,可作为细胞支架材料。

关键词: 水热生长 , 枝干状 ZnO 纳米结构 , 籽晶层 , 生物兼容性

溶液缩聚法制备聚酰亚胺绝缘膜及性能研究

张永爱 , 曾祥耀 , 周雄图 , 郑灼勇 , 郭太良

功能材料

以联苯四酸二酐(BPDA)和4,4’-二氨基二苯醚(ODA)为单体原料,利用溶液缩聚法制备聚酰亚胺(PI)绝缘膜,采用XRD、SEM、FT-IR对不同热亚胺化温度合成的PI薄膜结构和表面形貌进行了表征,利用超高阻微电流测试仪测试了热亚胺化温度和粉体含量对PI绝缘膜击穿场强的影响。结果表明,在真空度为1.0×10-2Pa条件下,300℃热亚胺化1h,聚酰亚胺酸(PAA)薄膜完全被热亚胺化,制备的PI绝缘膜内部结构致密;当BPDA和ODA的粉体含量为5%时,PI绝缘膜击穿场强高达2.15MV/cm,表明PI薄膜具有良好的电学性能。

关键词: 溶液缩聚法 , 聚酰亚胺绝缘膜 , 击穿场强

氧化锌纳米棒的制备及其光电性能的研究

郑泳 , 张永爱 , 吴朝兴 , 文亮 , 谢剑星 , 郭太良

人工晶体学报

以硝酸锌Zn(NO3)2·6H2O和六次甲基四胺(HMT)为原料,通过水热法制备出氧化锌纳米棒,研究了反应时间和冷却时间对产物形貌和尺寸的影响.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)、紫外-可见光谱、红外光谱(FT-IR)表征产物的结构和性能.结果表明,反应时间为6 h和急速冷却至室温条件下合成样品为六方纤锌矿氧化锌纳米棒,平均直径为300 nm;样品具有良好的结晶质量和发光性能,样品在200~400nm有较强的紫外吸收性能;FT-IR图谱表明产物在430 cm-1左右出现了Zn-O特征吸收峰,并有所红移;样品的开启场强为2.2 V/μm,场增强因子为2550,当场强为4.75 V/μm时,电流密度可以达到0.7 mA/cm2,是一种性能优良的冷阴极电子发射源.

关键词: 氧化锌 , 水热法 , 光致发光 , 场发射

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