彭观良
,
邹军
,
庄漪
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张涟翰
,
周国清
,
周圣明
,
徐军
,
干福熹
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.018
由于与GaN晶格失配小(约1.4%),γ-LiAlO2单晶有望成为一种很有希望的CaN外延衬底材料.本文使用提拉法生长出了尺寸达φ45×50mm3的γ-LiAlO2单晶.对该晶体毛坯的各个有代表性的位置作了X射线粉末衍射(XRPD)分析,结果表明仅仅在晶体毛坯的底部生成了一种缺锂相(LiAl5O8).γ-LiAlO2晶体化学稳定性差,在室温时轻微水解.当在空气中于1100℃退火70h,γ-LiAlO2晶体挥发出锂组分,在表面产生缺锂相(LiAl5O8).值得注意的是,在γ-LiAlO2晶体的红外光谱区不存在氢氧根吸收带.
关键词:
晶体生长
,
提拉法
,
γ-LiAlO2
,
外延
,
GaN
,
衬底
,
红外
