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张灶利 , 刘键 , 林清英 , 余宗森 , 刘登科
钢铁研究学报
用俄歇能谱仪和扫描电镜研究了中碳钢和含钼中碳钢在回火脆性发展过程中P在晶界上的偏聚.发现在480℃回火时,两种钢均在晶界出现P的浓度峰值.含钼中碳钢中的Mo减小了晶界断裂比例,但并不改变P的浓度峰值.同时还观察了S、C、Mo等组元在晶界的偏聚.P在晶界的浓度峰值可以用磷-空位复合体的非平衡偏聚机制加以解释.
关键词: 中碳钢 , 回火脆性 , 磷的非平衡偏聚 , 磷-空位复合体 , 钼
张灶利 , 肖治纲 , 杜国维
金属学报
Ｓｉ衬底上生长的Ｃｏ薄膜，经２５０，４５０，５００℃退火后．用电子显微镜对Ｃｏ／Ｓｉ界面处ＣｏＳｉ化合物的相转变进行了观察结果发现ＣｏＳｉ为多晶颗粒．ＣｏＳｉ相和基体无取向关系Ｃｏ／Ｓｉ界面在退火温度范围内的相变过程为：２５０─４５０℃４５０─５００℃Ｃｏ２Ｓｉ＋Ｃｏｓｉ─→ＣＯＳｉ─→Ｃｏｓｉ＋ＣｏＳｉ２
关键词: 薄膜 , null , null
刘键 , 王佩璇 , 张灶利
稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1999.05.004
采用霍尔测量、沟道卢瑟福背散射 (沟道RBS) 以及低温光荧光方法对中子辐照GaAs缺陷的快速退火行为进行了研究. 嬗变杂质锗未能全部激活的原因之一是部分锗原子占据砷位形成受主. 在快速退火过程中可形成反位缺陷GaAs(Ev+200 meV) 以及复合缺陷IGa-VAs.
关键词: 中子辐照 , GaAs , 缺陷
用透射电子显微镜和Ｘ射线衍射方法研究Ｓｉ衬底上的Ｃｏ薄膜氧化．发现：在５５０℃以下，薄膜氧化产物是ＣｏＯ；在９００℃再次进行真空热处理，ＣｏＯ能转变为硅化物．薄膜氧化，对Ｃｏ／Ｓｉ界面硅化物转变有影响．
关键词: 薄膜 , cobalt-silicide , oxidation
