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常温下脉冲激光沉积氮化硼薄膜研究

王金斌 , 张灿云 , 钟向丽 , 杨国伟

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.05.003

由于氮化硼特别是立方氮化硼(c-BN)的独特性质和广泛的应用前景,一直受到材料研究工作者的广泛关注.本研究利用脉冲激光在室温下沉积出立方氮化硼薄膜,傅立叶变换红外光谱和X射线衍射分析表明在所制备的氮化硼薄膜中,立方相的含量很高;同时,该研究还观察到了氮化硼的另一种高压相-爆炸结构氮化硼(Explosive-BN,E-BN).本研究同时还讨论了氮化硼薄膜生长的原理.

关键词: 脉冲激光沉积 , 室温 , 立方氮化硼 , 爆炸结构氮化硼

液-固界面反应法制备c-BN纳米晶

钟向丽 , 王金斌 , 张灿云 , 任志昂 , 杨国伟

功能材料

通过高能脉冲激光诱导丙酮-六方氮化硼界面反应制备出了立方氮化硼纳米晶体,透射电子显微镜分析表明制备的立方氮化硼(c-BN)纳米晶体为直径约30~80nm的类球状晶体.傅立叶变换红外光谱和X射线衍射都分别用来表征c-BN的结构.

关键词: 界面反应 , 立方氮化硼 , 纳米晶体

超声喷雾热解法制备稀磁掺杂ZnO薄膜的研究

王礼慧 , 张灿云 , 徐家跃 , 曲红旭 , 刘晟杰

人工晶体学报

近年来,基于ZnO稀磁半导体在自旋电子器件方面的潜在应用价值,过渡金属掺杂的ZnO材料被广泛研究.但由于p型ZnO材料的制备非常困难,获得具有室温以上居里温度的Mn掺杂p型ZnO基稀磁半导体仍然是个难题.在N-In共掺杂成功实现ZnO薄膜p型掺杂的前期研究基础上,本研究采用超声喷雾热解(USP)法在Si基底上制备了Zn1-x,MnxO系列薄膜样品.X射线衍射表明所有ZnO薄膜样品都具有纤锌矿结构,没有发现其他物相的衍射峰存在.薄膜形貌研究发现,样品中的颗粒分布均匀.磁性测量表明N-Mn-In掺杂的样品显示出室温铁磁性.对N-Mn共掺杂和N-Mn-In掺杂的样品进行热处理后,发现薄膜的铁磁性能与薄膜中的空穴载流子具有直接的关联,这一现象与Mn掺杂的p型ZnO会显示室温铁磁性的理论预测是一致的,并用束缚磁性极化子模型解释了ZnO薄膜的铁磁性来源.

关键词: 超声喷雾热解法 , 稀磁掺杂 , p型ZnO薄膜

喷雾热解法生长N掺杂ZnO薄膜机理分析

赵俊亮 , 李效民 , 边继明 , 张灿云 , 于伟东 , 高相东

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.04.031

通过超声喷雾热解工艺,以醋酸锌和醋酸铵的混合水溶液为前驱溶液,在单晶Si(100)衬底上制备了N掺杂ZnO薄膜,采用热质联用分析(TG-DSC-MS)、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)和霍耳效应(Hall-effect)测试等手段研究了喷雾热解工艺下N掺杂ZnO薄膜的生长机理、晶体结构和电学性能.结果表明,随衬底温度的不同,薄膜呈现出不同的生长机理,从而影响薄膜的晶体结构和电学性能.在优化的衬底温度下,实现了ZnO薄膜的p型掺杂,得到的p型ZnO薄膜具有优异的电学性能,载流子浓度为3.21×1018cm-3,霍耳迁移率为110cm2·V-1s-1,电阻率为1.76×10-2Ω·cm.

关键词: p型ZnO薄膜 , 喷雾热解 , 掺杂 , 生长机理

氮-铟共掺杂ZnO薄膜的制备及表征

边继明 , 李效民 , 张灿云 , 赵俊亮 , 于伟东 , 高向东

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.03.006

以醋酸锌水溶液为前驱体,分别以醋酸铵和硝酸铟为氮(N)源和铟(In)源,采用超声喷雾热解法在石英玻璃衬底上沉积了氮-铟(N-In)共掺杂ZnO薄膜.采用X射线衍射、场发射扫描电镜、霍尔效应、塞贝克效应、光致发光谱等分析方法,研究了N-In共掺杂对所得ZnO薄膜的晶体结构、电学和光学性能的影响规律.结果表明:通过氮-铟共掺杂,ZnO薄膜的电学和光学性能发生明显改变.优化工艺条件下,所得ZnO基薄膜结构均匀致密,电阻率为 6.75×10-3 Ω·cm,并且在室温光致发光谱中检测到很强的近带边紫外发光峰,表明薄膜具有较理想的化学计量比和较高的光学质量.

关键词: ZnO薄膜 , 超声喷雾热分解 , N-In 共掺杂 , 光致发光

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