周艳
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张礼峰
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胡治宁
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任维丽
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钟云波
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任忠鸣
上海金属
按化学计量比并富P2％配料,通过改进的单温区合成法合成出高纯、单相的ZnGeP2多晶原料,在无磁场、6T匀强磁场和上、下梯度磁场条件下,使用坩埚下降法成功生长出ZnGeP2单晶.研究表明,施加6T匀强磁场和上、下梯度磁场后,ZnGeP2晶体依次沿(116)、(112)和(220)取向,与无磁场下晶体取向不同;ZnGeP2晶体成分沿纵向方向在强磁场中比无磁场中波动明显;红外透过率在匀强和上梯度磁场中均有明显提高,下梯度磁场中变化不明显;电阻率在匀强和上梯度磁场中有所下降,而下梯度磁场中则有所升高.
关键词:
强磁场
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ZnGeP2
,
非线性
,
晶体生长
