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基于非晶软磁层的巨磁电阻单元性能研究

张祖刚 , 张万里 , 文岐业 , 唐晓莉 , 张怀武

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.01.010

采用剥离工艺制备了单元大小为10μm×18μm的CoNbZr/Co/Cu/Co和NiFe/Co/Cu/Co多层膜结构的3×3自旋阀单元阵列,并测试了自旋阀单元的静态和动态巨磁电阻特性.结果表明CoNbZr层对快速磁场变化具有良好的线性响应特性.与NiFe/Co/Cu/Co自旋阀单元相比,微米尺度的CoNbZr/Co/Cu/Co自旋阀单元具有更良好的自旋电子特性,可以应用到包括MRAM器件在内的自旋电子器件中.

关键词: 自旋阀 , 巨磁电阻 , 非晶薄膜