李亮
,
张荣
,
谢自力
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张禹
,
修向前
,
刘成祥
,
毕朝霞
,
陈琳
,
刘斌
,
俞慧强
,
韩平
,
顾书林
,
施毅
,
郑有炓
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.028
本文利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同生工艺条件下的InxGa-xN薄膜的制备,并通过XRD、SEM、AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对InxGa1-xN薄膜的组分和性质的影响.InxGa1-xN薄膜的制备包括蓝宝石衬底表面上GaN缓冲层的生长以及缓冲层上InxGa1-xN薄膜的沉积两个过程.通过对所制备InxGa1-xN薄膜的XRD、SEM、AFM分析发现,调节生长温度和TMGa的流量可以有效控制InxGa1-xN薄膜中In的组分,并且随着生长温度的升高,InxGa1-xN薄膜的表面缺陷减少.
关键词:
MOCVD
,
InxGa1-xN
,
薄膜
,
缓冲层
王云良
,
倪晓东
,
申江
,
钱萍
,
张禹
金属世界
doi:10.3969/j.issn.1000-6826.2009.z1.009
本论文研究了柱几何条件下磁化等离子体中的相对论磁声孤立波,建立了弱相对论条件下关于磁声孤立波的部分相对论理论模型,利用约化摄动方法得到了描述相对论磁声孤立波的Cylindrical Korteweg-de Vries(CKdV)方程.研究结果表明柱磁声孤立波与一维情况下孤子的性质有很大的不同,在随时间的演化过程中柱磁声孤立波的振幅不断增加、宽度不断减小、运动速度也是增加的.
关键词:
磁声孤立波
,
相对论
,
磁化等离子体
,
动力学
安希忠
,
张禹
,
刘国权
,
秦湘阁
,
王辅忠
,
刘胜新
稀有金属材料与工程
建立了CVD金刚石膜{100}取向生长过程中的化学反应模型,表面吸附生长机制以沟槽处碳氢组元加入的机制为主,并用改进的KMC方法在原子尺度上模拟了该模型下(100)表面的生长过程,给出了衬底温度和甲基浓度等操作参数对膜质量的影响.结果表明,该化学反应模型能够较实际地揭示{100}取向CVD金刚石膜的生长.
关键词:
CVD金刚石膜
,
KMC方法
,
原子尺度
,
化学反应模型
,
生长机制
安希忠
,
刘国权
,
张禹
,
秦湘阁
,
刘俊友
功能材料
综述了近年来金刚石薄膜形成过程的分子动力学(Molecular Dynamics,简称MD)模拟研究,详细地阐述了原子间相互作用势的选取,总结了不同沉积条件下MD的计算模型和几种典型情况下的模拟结果.研究表明:在原子尺度上,MD方法能较全面地提供有关膜生长的信息,对进一步了解金刚石膜形成的微观机制以及为细观层次仿真提供基本信息均具有重要意义.
关键词:
金刚石膜
,
虚拟制备
,
分子动力学模拟
,
原子间作用势
张禹
,
王克昌
,
张荣
,
谢自力
,
韩平
材料导报
综述了近年来利用量子化学计算方法对GaN MOCVD生长机制的研究,详细阐述了近年文献报道的一些GaN MOCVD的生长模型,总结了利用不同生长模型进行计算得出的结果.研究表明,通过对GaN生长模型进行量子化学计算,可以提供GaN生长过程中详细的化学反应信息,对进一步了解GaN MOCVD生长的微观机制具有重要的意义.
关键词:
GaN
,
MOCVD
,
量子化学计算
,
生长模型
符凯
,
张禹
,
陈敦军
,
韩平
,
谢自力
,
张荣
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2008.01.006
根据现有氮化镓(GaN)金属有机物化学气相淀积(Metalorganic Chemical Vapor Deposotion)生长动力学理论,结合具体的MOCVD反应腔体的构造,用计算流体力学和动力学蒙特卡罗方法对GaN MOcvD生长过程中的生长速率和表面形貌演变进行了计算机模拟.结果表明,在950～1350 K的温度范围内反应气体充分热分解,是适合GaN外延生长的温度区间;温度低于950 K,反应气体未能充分地分解,导致较低的生长速率;而温度高于1350 K则Ga组分的脱附现象开始变得严重,从而抑制GaN的生长速率.另一方面,较高的v/Ⅲ也会抑制GaN的生长速率.生长过程中表面形貌随时间的演变结果显示,GsN薄膜在高温下(1073～1473 K)为2D层状生长,在1373 K的温度下生长的GaN薄膜表面最为平整.
关键词:
氮化镓
,
计算流体力学
,
蒙特卡洛
,
计算机模拟
姜志进
,
邓海平
,
张禹
,
张海利
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.32.04.398
近年来，高能物理界取得的最重要的成就之一是发现高能重离子碰撞产生的高温高密度物质极近理想流体。描述这种流体膨胀过程的最佳工具是相对论流体力学。在Hwa-Bjorken与Landau相对论流体力学统一描述理论的基础上，考虑到带头粒子的贡献，讨论了带电粒子的赝快度分布。由流体冻析产生的带电粒子的快度分布可由统一流体力学理论解析得到，带头粒子的快度分布假设具有高斯形式。与LHC-RHIC-PHOBOS合作组在能量分别为√sNN=62.4与130 GeV 的Au-Au碰撞中的实验测量相比较得知，理论与实验结果符合得很好。
关键词:
相对论流体力学
,
带头粒子
,
高斯分布
张禹
,
韦习成
,
余运龙
,
张浩
人工晶体学报
过渡金属二硫族化合物(Transition-metal dichalcogenides,TMDs)作为一组二维材料具有丰富的物理特性,近几年因其半导特性在半导体器件上具有重要的应用前景而引其了学界的普遍关注.总结了TMDs材料的制备方法及其在场效应管(FET)上的应用研究进展,并对存在的问题以及潜在的研究方向做了展望.
关键词:
过渡金属二硫族化合物
,
FET
,
器件
张禹
,
韦习成
,
张浩
人工晶体学报
利用原子层沉积技术(Atomic layer deposition, ALD)进行ZrO2薄膜工艺研究,获得了低温下ZrO2薄膜ALD的最佳工艺条件.分析了在低温下前驱体脉冲时间,吹扫时间生长工艺条件对薄膜性能的影响.以四(二甲基氨)基锆(TDMAZ)和H2O为前驱体,制备了均匀性良好,表面粗糙度低,可见光透过率高,水汽阻挡效果良好的ZrO2薄膜.
关键词:
原子层沉积
,
ZrO2薄膜
,
工艺优化
