张荣香
,
赵晓辉
,
赖伟东
,
代秀红
,
张继县
,
李晓苇
人工晶体学报
利用微波吸收介电谱检测技术测得了不同染料吸附量条件下立方体氯化银微晶的光电子衰减曲线,发现随着染料吸附量的增多,光电子的衰减速率变快,且不是一个单凋变化过程.光电子衰减的微观动力学分析表明,染料吸附存在着聚集体吸附和单分子态吸附两种情形,聚集体吸附使得微晶中的填隙银离子增多,从而增加了微晶外部的深电子陷阱,使光电子衰减变快;染料单分子态的吸附起修饰微晶表面能级的作用,从而减少了微晶外部的深电子陷阱,使光电子衰减变慢.
关键词:
电子陷阱
,
染料吸附
,
氯化银微晶
,
光电子
,
结构
李晓苇
,
李莉
,
张荣香
,
张继县
,
江晓利
,
杨少鹏
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.035
利用微波吸收相敏检测技术测量了纯氯化银微晶的光电子衰减曲线,再结合光电子衰减动力学方程,确定了微晶表面和内部的电子陷阱参数,并以此为基础分析了染料的吸附对微晶表面结构的影响.发现吸附不仅会在微晶表面产生填隙银离子同时会对表面陷阱产生修饰作用,且随着染料吸附量的减少,产生银离子的作用退化并最终消失,而修饰作用凸现并逐渐增强,直至填隙银离子不再产生,修饰作用也达到了最大,随后修饰作用将随染料吸附量的继续减少而变弱.
关键词:
电子陷阱
,
染料吸附
,
卤化银微晶
,
表面结构
,
表面修饰
