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复合包覆技术在海港工程中的防腐蚀应用

任敏 , 任浩瀚 , 周国然 , 杨扬 , 金建昌 , 尹金华 , 张羿 , 鲁进亮

腐蚀与防护

介绍了复合包覆技术在防腐蚀领域的应用情况.介绍了海工结构成熟的复合包覆材料及其特点、施工技术及质量检测要求.还结合中外工程实例,对复合包覆技术在实际工程项目中的方案设计、跟踪监测情况及长期应用效果进行了介绍.

关键词: 复合包覆技术 , 海港工程 , 防腐蚀

碳/碳化硅刹车材料的显微结构分析

徐芳 , 张立同 , 孟祥康 , 陈延峰 , 徐永东 , 范尚武 , 张羿

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00233

采用反应熔体渗透法(reactive melt infiltration, RMI)制备了碳/碳化硅(C/SiC)刹车材料, 利用X射线衍射分析了材料组成, 并通过光学、扫描电子和透射电子显微镜从不同尺度观察了刹车材料的微观结构. 结果发现, 反应生成的SiC是面心立方的β-SiC, 主要分布在胎网层、针刺纤维附近以及无纬布层的纤维束间; 残余的单质Si分布在SiC的颗粒间. SiC在SiC-Si界面上, 以大约5~15μm的粗大颗粒存在; 而在SiC-C界面上, 以粒径100nm左右的细小颗粒存在.

关键词: 碳/碳化硅 , braking material , microstructure

碳/碳化硅刹车材料的显微结构分析

徐芳 , 张立同 , 孟祥康 , 陈延峰 , 徐永东 , 范尚武 , 张羿

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.02.006

采用反应熔体渗透法(reactive melt infiltration,RMI)制备了碳/碳化硅(C/SiC)刹车材料,利用X射线衍射分析了材料组成,并通过光学、扫描电子和透射电子显微镜从不同尺度观察了刹车材料的微观结构.结果发现,反应生成的SiC是面心立方的β-SiC,主要分布在胎网层、针刺纤维附近以及无纬布层的纤维束间;残余的单质Si分布在SiC的颗粒间. SiC在SiC-Si界面上,以大约5~15um的粗大颗粒存在;而在SiC-C界面上,以粒径100nm左右的细小颗粒存在.

关键词: 碳/碳化硅 , 刹车材料 , 显微结构

外加电流阴极保护技术对海港工程钢筋混凝土结构的防护

任敏 , 周汝毅 , 张羿 , 葛仕彦 , 陆旭峰 , 舒方法

材料保护

为检验外加电流阴极保护技术在海港工程中的保护效果,设计了循环水系统和混凝土试块模型,以模拟钢筋混凝土海洋腐蚀状态,采用外加电流阴极保护技术对模型进行持续阴极保护。结果表明:设计的试验环境与实际工程环境相符;外加电流阴极保护技术可有效抑制钢筋腐蚀,且可对被保护结构实现长期、稳定的保护。

关键词: 外加电流阴极保护 , 海港工程 , 钢筋混凝土结构 , 腐蚀

牺牲阳极阴极保护技术在洋山中港区钢管桩上的应用

张羿

腐蚀与防护

介绍了牺牲阳极阴极保护技术在洋山港钢管桩防腐蚀方面的应用经验,分析了相关的工程参数,对保护效果做出了相应的评估.

关键词: 洋山港 , 钢管桩防腐蚀 , 牺牲阳极阴极保护技术

半电池电位法在混凝土外加电流阴极保护中的应用

周汝毅 , 张羿 , 任敏 , 葛仕彦 , 陆旭峰 , 舒方法

腐蚀与防护

半电池电位法除可用于常规检测钢筋混凝土的锈蚀情况外,在混凝土外加电流阴极保护时,还可用于检测阴极保护的均匀性;并可在进行极化衰减检测保护效果时进行辅助性判断。本工作报道了试验的情况。

关键词: 半电池电位 , 混凝土 , 钢筋 , 锈蚀

MMO阳极在钢筋混凝土结构中的应用

任敏 , 葛仕彦 , 张羿 , 周汝毅 , 陆旭峰 , 舒方法

腐蚀科学与防护技术

钛基混合金属氧化物阳极是一种外加电流阴极保护系统中常用的新型辅助阳极,该阳极通过在钛基体表面涂覆催化的Ti、Pt、Ir、Ta或Ru的氧化物的混合物制成,通常称为MMO阳极.这种阳极问世于20世纪60年代末,最早是由氯碱工业中采用的尺寸稳定型阳极发展而来.

关键词: 辅助阳极 , 钢筋混凝土结构 , 外加电流阴极保护系统 , 金属氧化物阳极 , 应用 , 表面涂覆 , 氯碱工业 , 钛基体

电子束蒸发Al2O3/TiO2复合膜及在无机EL中的应用

黄浩 , 肖田 , 张羿 , 林明通

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.014

开发高可靠性的绝缘层薄膜几十年来一直是TFEL显示器研制中的重要努力方向之一.采用双靶脉冲电子束蒸发法制备了Al2O3/TiO2单元结构为10 nm/10 nm、20 nm/20 nm、40 nm/40 nm、总厚度约600 nm的多层复合薄膜,同时采用共蒸发法制备了800 nm的AlxTiyOz复合薄膜,研究了它们的介电性能,并与Al2O3、TiO2单层膜的介电性能做了比较,最后将性能较优的AlxTiyOz薄膜应用到ZnS:Mn TFEL器件中.Al2O3/TiO2多层复合膜随着结构单元中Al2O3、TiO2厚度由10 nm增至40 nm,介电常数由20.2减小到16.1,击穿场强由154 MV/m增至174 MV/m,反映介电损耗的参数ΔVy由0.09 V降为0.04 V,在50 MV/m下漏电流密度由1×10-6 A/cm2增至1×10-4 A/cm2,品质因子由2.62 μC/cm2降为2.46 μC/cm2.AlxTiyOz薄膜的品质因子大于3.6 μC/cm2,应用于ZnS:Mn TFEL器件中获得在200 Hz下较高的L50(58 cd·m-2)、很低的阈值电压(60~70 V),而且各个像素的L-V性能有很好的重复性.

关键词: 电子束蒸发 , Al2O3-TiO2复合膜 , 介电性能 , ZnS:Mn器件

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