周健儿
,
梁铎
,
吴隽
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李其江
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张茂林
,
吴军明
人工晶体学报
本实验采用常见的陶瓷原料,在氧化气氛下制备出了具有类似晶花形貌的冰裂纹青釉.结合SEM和XRD等分析技术,通过对釉的化学组成及微观结构、胎釉间弹性模量和应力计算分析,发现古代“冰裂纹”的成因是在釉坯间存在较大应力的情况下,较差的坯釉中间层有效的传递了胎釉间的应力,导致釉层内开裂.裂纹在扩展过程中遇到釉层中气泡发生方向偏折而形成了类似晶花态的“冰裂纹”形貌.
关键词:
冰裂纹
,
青瓷
,
裂纹形貌
,
热膨胀系数
汪燕鸣
,
王广健
,
张茂林
,
王阿鸣
功能材料
采用聚乙二醇辅助的溶胶-凝胶法制备了锂离子电池复合正极材料LiCo1-xVxPO4/C(x=0、0.03和0.05).X射线衍射(XRD)表明掺杂的V进入了LiCoPO4晶格内部.扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)显示LiCo0.97V0.03PO4/C的粒径分布在200～700nm之间,颗粒表面包覆一层约30nm厚的碳层.在0.1C倍率下,LiCo0.97V0.03PO4/C和LiCoPO4/C的首次放电容量分别为111和70mAh/g.掺杂V不仅能够改善材料的循环稳定性而且提高了材料的放电电压平台.
关键词:
锂离子电池
,
磷酸钴锂
,
正极材料
,
离子掺杂
,
高电压
张茂林
,
袁战恒
,
宋建平
,
郑程
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11695
通过浸渍法用H2PtCl6溶液修饰TiO2厚膜, 经过不同的处理工艺, 获得表面负载Pt粒子的Pt/TiO2厚膜. 采用XRD和SEM分析了Pt/TiO2的物相结构和表面形貌, 并通过电阻-氧分压关系计算Pt/TiO2厚膜活化能. 然后分别通过静态和动态测试法, 表征了Pt/TiO2厚膜在H2/O2中的稳态阻值和动态响应时间. 结果表明: 受“spill-over”机制影响, Pt/TiO2厚膜在H2/O2气氛下的稳态电阻与Pt的散布状态有关. 而样品响应时间不仅与Pt粒子的分布有关, 还受表面活化能的影响, 在Pt散布基本相同情况下, 活化能越低, 样品响应速度越快.
关键词:
二氧化钛; 表面状态; 稳态电阻; 响应时间
张茂林
,
安太成
,
盛国英
,
傅家谟
材料科学与工程学报
从廉价的粉煤灰中分离出空心微球飘珠为载体,采用一种简单的异相水解水热晶化两步法合成了TiO2/飘珠漂浮光催化剂,该制备方法不需要煅烧过程,不破坏载体的微结构,可以保持催化剂的漂浮性能.通过SEM、XRD、BET表征,并以正癸烷的太阳光催化降解为模型反应,考察了催化剂的光催化活性.结果显示,纳米级锐钛矿型TiO2均匀地负载在飘珠表面,TiO2/飘珠漂浮光催化剂能有效地利用太阳光催化降解水面漂浮的有机物.
关键词:
光催化剂
,
异相水解
,
水热晶化
,
两步法
,
制备
李龙
,
张茂林
,
王俊勃
,
段亚峰
,
赵伟
宇航材料工艺
doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2002.05.007
利用达西定律分析了混纤纱结构对基体浸渍性能的影响,并分析了增强纤维/热塑性纤维并列纱、理想混纤纱、一般混纤纱的基体浸渍特征,增强纤维的膨松以及增强纤维/热塑性纤维的良好混合度有利于基体的浸渍,复合材料的弯曲性能提高.
关键词:
复合材料
,
混纤纱
,
纱线结构
,
浸渍性能
李龙凤
,
张茂林
机械工程材料
以Cu（CH3COO）2·2H2O为铜源，水和乙二醇的混合溶液为溶剂，在回流条件下通过强迫水解化学还原法制备了纳米CuzO，对影响其结晶程度和晶粒大小的因素进行了分析，并测试了其光催化性能。结果表明：水和乙二醇体积比、回流反应时间和Cu（CH2COO）2初始浓度对产物Cu2O的结晶程度和晶粒大小有着重要的影响；制备的Cu2O在可见光下照射210min后甲基橙的降解率达到89％，其光催化活性优于市售P25 TiO2的。
关键词:
Cu2O
,
乙二醇
,
光催化性能
,
甲基橙
张茂林
,
袁战恒
,
宋建平
,
郑程
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11695
通过浸渍法用H2PtCl6溶液修饰TiO2厚膜,经过不同的处理工艺,获得表面负载Pt粒子的Pt/TiO2厚膜.采用XRD和SEM分析了Pt/TiO2的物相结构和表面形貌,并通过电阻-氧分压关系计算Pt/TiO2厚膜活化能.然后分别通过静态和动态测试法,表征了Pt/TiO2厚膜在H2/O2中的稳态阻值和动态响应时间.结果表明:受“spill-over”机制影响,Pt/TiO2厚膜在H2/O2气氛下的稳态电阻与Pt的散布状态有关.而样品响应时间不仅与Pt粒子的分布有关,还受表面活化能的影响,在Pt散布基本相同情况下,活化能越低,样品响应速度越快.
关键词:
二氧化钛
,
表面状态
,
稳态电阻
,
响应时间
