田宗民
,
陈旭
,
谢振宇
,
张金中
,
张文余
,
崔子巍
,
郭建
,
闵泰烨
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132806.0849
对低速沉积的栅极绝缘层和低速沉积的有源层的薄膜沉积条件进行了优化,设定4个实验条件,考察了不同条件下膜层的均匀性,TFT产品的开路电流(I.n)的整体分布规律以及均匀性,Ion的提升比例以及产品的阈值电压,确定条件二为最优条件.对比优化前后产品的栅极偏应力下TFT的转移曲线和高频信号下电容-电压曲线,进一步分析了产品的电学稳定性.研究发现I.n提升了42%,开关比(I.n/I..)提升了约70%,优化后的TFT的稳定性优于优化之前,达到了改善TFT特性的目的.
关键词:
栅极绝缘层
,
有源层
,
沉积条件优化
,
电学特性
,
改善
李婧
,
张金中
,
谢振宇
,
阎长江
,
陈旭
,
闵泰烨
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132804.0547
利用等离子化学气相沉积法连续制备SiNx∶H和a-Si∶H薄膜.通过电学、光学、力学测试研究了SiNx∶H薄膜沉积条件对其界面性能的影响.研究结果表明,过度的富硅化将显著增大体系的界面态,严重影响器件的TFT特性.当SiH4和NH3气体流量比值为7∶15时,开关比(Ion/Ioff)可达3.24×10 7.适当增加功率同样可以提高Ion,但高于31.5 W/cm2后,只会严重地增大薄膜的应力.优化SiNx∶H的沉积参数,开关比可以提高5.5倍.
关键词:
SiNx∶H界面态
,
Si/N
,
开关比
,
TFT特性