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ZnO:Ga透明导电膜的低温制备及特性研究

余旭浒 , 马瑾 , 计峰 , 王玉恒 , 宗福建 , 张锡健 , 程传福 , 马洪磊

功能材料

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.薄膜的最低电阻率达到了3.9×10-4Ωcm,方块电阻~4.6Ω/□,薄膜具有良好的附着性,在可见光区的平均透过率达到90%以上.

关键词: 磁控溅射 , ZnO:Ga , 光电特性

溅射法生长 MgxZn1- xO薄膜的结构和光学特性

张锡健 , 马洪磊 , 王卿璞 , 马瑾 , 宗福建 , 肖洪地 , 计峰 , 王翠英

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.003

用射频磁控溅射法在不同衬底上制备出了 MgxZn1- xO薄膜. X射线衍射 (XRD)和原子力显 微镜( AFM)研究结果表明,薄膜为六角纤锌矿结构,具有( 002)方向择优取向;随氧分压增加,( 002) 衍射峰的角度变大,表征薄膜表面粗糙程度的方均根粗糙度减小.室温光致发光谱中有多个紫外 及可见光致发光峰,其中 344nm发光峰应来源于近带边发射.室温透射谱表明薄膜在可见光区具 有极高的透过率,薄膜的吸收边位于 340nm附近,进而估算出 MgxZn1- xO薄膜的带隙宽度为 3.59eV, 与光致发光结果一致.

关键词: MgxZn1- xO薄膜 , 射频磁控溅射 , 光致发光

真空退火对溅射淀积ZnO:Ga透明导电膜性能的影响

马瑾 , 余旭浒 , 计峰 , 王玉恒 , 张锡健 , 程传福 , 马洪磊

稀有金属材料与工程

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了真空退火对薄膜结构、电学和光学特性的影响.结果表明:真空退火后,薄膜结构得到明显改善,电阻率由退火前的1.13×10-3Ω·cm下降到5.4×10-4Ω·cm,在可见光区的平均透过率也由未退火前的83%提高到退火后的90%以上.

关键词: 磁控溅射 , ZnO:Ga , 真空退火

薄膜厚度对ZnO:Ga透明导电膜性能的影响

余旭浒 , 马瑾 , 计峰 , 王玉恒 , 张锡健 , 程传福 , 马洪磊

功能材料

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.随着薄膜厚度的增加,衍射峰明显增强,晶粒增大.薄膜的最低电阻率为3.9×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透过率达到了85%以上.

关键词: 磁控溅射 , ZnO:Ga , 薄膜厚度 , 光电性质

粒状氮化镓微晶的合成及其结构性能的研究

肖洪地 , 马洪磊 , 薛成山 , 胡文容 , 马瑾 , 宗福建 , 张锡健

稀有金属材料与工程

在950℃的氮化温度下,通过单氢氧化镓(GaO2H)粉末与流动的NH3反应35 min制备出粒状GaN微晶.通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究发现,GaN粉末是六角纤锌矿结构的粒状微晶,其晶格常数a和c分别为0.3191 nm和0.5192 nm.X射线光电子能谱(XPS)揭示试样中有Ga-N键形成,Ga与N两元素比为1∶1.

关键词: GaO2H粉末 , 粒状GaN微晶 , 氮化温度

退火温度对射频磁控溅射法生长的Mg0.16Zn0.84O薄膜性质的影响

张锡健 , 马洪磊 , 王卿璞 , 马瑾 , 宗福建 , 肖洪地 , 计峰

功能材料

采用射频磁控溅射的方法在硅衬底上生长出高质量的Mg0.16Zn0.84O薄膜.用X射线(XRD)、原子力显微镜(AFM)分别研究了在200、400、600和800℃下空气中退火2h的Mg0.16Zn0 84O薄膜的结构、表面形貌.结果表明,Mg0.16Zn0.84O薄膜是六角纤锌矿结构,具有沿与衬底垂直的C轴的择优取向;随着样品退火温度的升高,(002)衍射峰强度明显增强,衍射峰半高宽(FWHM)由0.86°单调地降低到0.40°,晶粒大小明显增大,最大的高达400nm以上.用TV1900型双光束紫外可见分光光度计测量了淀积在蓝宝石衬底上的Mg0.16Zn0.84O薄膜室温的透射谱,得到可见光区的平均透过率约为95%,进而估算出Mg0.16Zn0.84O薄膜的带隙宽度约为3.58eV.

关键词: MgZn1-xO薄膜 , AFM , XRD , 退火

MgxZn1-xO薄膜的结构特性研究

张锡健 , 马洪磊 , 王卿璞 , 马瑾

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.01.039

采用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备了MgxZn1-xO(x=0.23)薄膜,用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)、喇曼(Raman)光谱和原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的结构特性.XRD和HRTEM分析结果表明MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,且具有沿c轴的择优取向,晶格常数与ZnO晶体的近似相等.Raman光谱不仅揭示MgxZn1-xO薄膜具有六角纤锌矿结构,而且也表明MgxZn1-xO薄膜的结晶质量比在相同条件下制备的ZnO薄膜好.AFM图像则显示出MgxZn1-xO薄膜为多晶结构.

关键词: MgxZn1-xO , 射频磁控溅射 , 结构特性

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