金奉柱
,
崔瑩石
,
劉聖烈
,
張炳鉉
,
柳在一
,
李禹奉
,
李貞烈
,
Jung-yeal LEE
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.001
为了获得高的开口率,有必要优化设计参数和工艺容差.通常的过孔刻蚀工艺采用SF6基气体进行刻蚀,但是这种方法在金属和钝化层之间的选择性太小,因此,必须增加过孔的尺寸才行.为了克服上述问题,在本研究中用CF4气体代替 SF6气体进行刻蚀,结果在FFS 5.16(2.03 in)像素结构中,开口率提高了60 %.
关键词:
TFT-LCD
,
开口率
,
刻蚀
,
CF4等离子体
宋泳锡
,
劉聖烈
,
柳在一
,
張炳鉉
,
李禹奉
,
李貞烈
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.009
为了获得更高性能的TFT-LCD面板,在光刻时保证精细的图形成像十分重要,其中,如何制作出尺寸更小的通孔图形是主要的问题之一.本文提供的研究中,我们只简单地改变了一下烘烤工艺,而不需要改变Eop和显影时间,就可以将通孔图形的尺寸减小20 %～25 %.在后续的刻蚀工艺中,通孔的尺寸能显著减小.
关键词:
TFT-LCD
,
光刻
,
通孔图形
,
尺寸
