刘世良
,
赵立峰
,
彭冬生
,
谢长生
材料保护
doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2004.06.002
为了获得高速沉积镍膜的工艺参数,以羰基镍[Ni(CO)4]为前驱体,用金属有机物化学气相沉积法进行试验,以SEM,DSC,XRD测试分析技术探讨了载气、温度和羰基镍的摩尔分数对沉积速率的影响;也探讨了温度及羰基镍的摩尔分数对镍膜微观形貌的影响.结果表明,以氩气为载气比氦气为载气更容易获得高沉积速率;在沉积温度为150℃左右可获得沉积速率较快、微观形貌较好的薄膜;随羰基镍摩尔分数的增加,沉积速率也明显增大,同时薄膜的微观形貌也变得较为粗大,但达到30%之后,沉积速率增速减缓.
关键词:
化学气相沉积
,
金属有机物
,
羰基镍
,
镍膜
陆剑峰
,
张忠卫
,
池卫英
,
王亮兴
,
陈鸣波
,
彭冬生
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.016
报道了对GaAs/Ge太阳电池器件工艺的研究结果.采用细栅厚电极正胶剥离技术制备细栅厚电极,栅线宽度小于15 μm,厚度在5 μm以上;采用NH4OH/H2O2选择性腐蚀液体系去除GaAs帽子层; 采用真空蒸发制备TiO2/SiO2双层减反射膜,电流密度增益可达25%以上;研制出平均效率达到19%(AM0,1 s,25 ℃)以上的GaAs/Ge太阳电池.
关键词:
太阳电池
,
GaAs/Ge
,
器件工艺
彭冬生
,
谢长生
材料导报
采用MOCVD法制备纳米固体材料,用现代分析测试技术确定纳米固体的结构并探索纳米固体的特异性能是纳米固体材料研究最重要的内容之一.论述了MOCVD法在纳米领域和其他方面的应用以及其发展前景.
关键词:
MOCVD
,
纳米固体
,
结构
,
性能
,
应用
彭冬生
,
赵立峰
,
刘世良
,
谢长生
材料热处理学报
doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2003.01.015
研究了以羰基镍为沉积源,利用MOCVD技术沉积镍薄膜;讨论了沉积温度及压力对沉积速率的影响,以及利用SEM、XRD、DSC等分析手段来探讨沉积温度及不同沉积基体对薄膜微观形态的影响.结果表明,沉积温度约为150℃可以得到较快的沉积速率,而且薄膜连续具有金属光泽;以铜为沉积基体所得到的薄膜其微观形态中有明显的晶粒,以玻璃为基体得到的薄膜却含有部分非晶态的组织;沉积速率随着反应室工作压力的增加而下降.
关键词:
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
,
羰基镍
,
薄膜
冯玉春
,
刘晓峰
,
王文欣
,
彭冬生
,
郭宝平
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.023
为了降低MOCVD外延硅基GaN膜层中的应力、减少硅基厚GaN层的微裂;在高温GaN层中插入低温AlN.低温AlN插入层可平衡HT-GaN生长和降温过程引起的张应力,降低厚膜外延层的微裂,已研制出厚度超过1.8微米无微裂GaN外延层.本文重点研究了低温AlN生长温度对HT-GaN材料的影响,给出了较佳的LT-AlN生长温度.采用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),对样品进行了测试分析.试验和测试结果表明低温AlN的生长温度至关重要,生长温度过低影响GaN晶体质量,甚至不能形成晶体;生长温度过高同样会影响GaN结晶质量,同时降低插入层的应力平衡作用;实验结果表明最佳的LT-AlN插入层的生长温度为680℃左右.
关键词:
彭冬生
,
冯玉春
,
牛憨笨
材料导报
阐述了Monte Carlo方法在薄膜生长中的应用和最新进展;简要论述了Monte Carlo算法的类型及各自的特点;结合MonteCarlo方法的特点,提出了模拟薄膜生长的模型以及处理方法.同时,归纳出MonteCarlo模拟薄膜生长需要解决的主要问题.
关键词:
Monte Carlo
,
薄膜生长
,
模型
