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硅晶片抛光用高纯度大粒径硅溶胶的研究

郑典模 , 潘鹤政 , 屈海宁 , 陈骏驰 , 彭静红

硅酸盐通报

本文采用硅粉水解-胶粒整理法制备硅晶片抛光所用硅溶胶,考察了单质硅粉的加入量、反应时间、反应温度、硅溶胶底液浓度、催化剂种类及用量对硅溶胶胶粒平均粒径增长的影响,得到最佳工艺条件:单质硅粉的最佳加入量为25 g、反应时间7h、反应温度80℃、硅溶胶底液的质量浓度为8%、选稀氨水为催化剂、用量为12 mL,在此条件下可制备得到平均粒径为20 nm的硅溶胶产品.经过多次粒子生长可以制备得到适用于硅晶片抛光产业的高纯度大粒径硅溶胶.

关键词: 硅晶片抛光 , 高纯度 , 大粒径 , 硅溶胶

响应面法探讨氟硅酸制备超细白炭黑工艺对DBP值的影响

郑典模 , 潘鹤政 , 伍丽萍 , 周桂明 , 陈骏驰 , 彭静红

硅酸盐通报

研究以氟硅酸和氨水为原料制备超细白炭黑,采用响应面优化工艺并建立数学模型,探讨氨水的滴加速率、底液量与总氨水体积比、氟硅酸与氨水滴加体积比和反应温度各因素之间相互作用对白炭黑DBP值的影响.确定最佳工艺条件:氨水的滴加速率为3.1 mL/min,底液量与总氨水体积比0.61,氟硅酸与氨水滴加体积比1∶5.75,反应温度75℃,该条件下制得的白炭黑DBP值为3.1300,与预测值3.1276仅有0.0024的误差,证明模型具有较好的拟合度,能够真实地反映各实验因素对DBP值的影响.

关键词: 响应面 , 氟硅酸 , 超细白炭黑

磷酸锰制备新工艺及其电化学性能探讨

郑典模 , 陈骏驰 , 王俊红 , 潘鹤政 , 彭静红

材料导报

以硫酸锰和磷酸为原料制备超细磷酸锰,采用正交法优化的最佳工艺条件为:反应温度80℃,表面活性剂的用量为原料锰盐质量的1.0%,磷锰投料比为1.5:1.0(物质的量比),pH值为8.0.在此条件下得到的样品为片状磷酸锰,粒径分布均匀,平均粒径为815 nm,所制备的LiMnPO4/C复合材料有较好的电学性能.

关键词: 超细磷酸锰 , 沉淀法 , 硫酸锰

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