魏林
,
李耀耀
,
李爱珍
,
徐刚毅
,
张永刚
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.03.004
报道了后腔面蒸镀高反射率镀膜工艺及其对分布反馈量子级联激光器性能影响的研究结果.与没有腔面镀膜的器件相比,采用了腔面镀膜工艺的器件,室温下的阈值电流密度降低了20%,前腔面出光峰值功率提高了50%,斜率效率提高了44%.通过对比镀膜和未镀膜器件的闻值电流密度,估算出器件的波导损耗约为7.25cm-1.
关键词:
分布反馈量子级联激光器
,
高反射率腔面镀膜
梅斌
,
徐刚毅
,
李爱珍
,
李华
,
李耀耀
,
魏林
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.007
高分辨率X射线衍射技术被用来分析基于InP衬底的应变的InGaAs和InAlAs单层材料和应变补偿的InGaAs/InAlAs超晶格材料.通过倒空间mapping得到的单层材料的错向角大约为10-3度,可以忽略不计.通过摇摆曲线得到了单层材料的组分和体失配度,接着单层材料的结果被用来分析在相同的条件下利用MBE技术生长的超晶格材料.利用倒空间mapping精确得到了超晶格的平均垂直失配度和各层的厚度,通过X射线模拟软件得到的超晶格材料的模拟曲线和实测曲线吻合的很好.
关键词:
高分辨X射线衍射
,
InGaAs
,
InAlAs
,
错向角
,
摇摆曲线
,
倒空间mapping
张雄
,
李爱珍
,
张永刚
,
郑燕兰
,
徐刚毅
,
齐鸣
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.034
报道了可在室温下脉冲工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2 μm 多量子阱脊波导半导体激光器.器件材料生长采用固态源分子束外延的方法,器件有源层采用应变补偿量子阱结构,激光器结构中引入了加宽波导的设计.制备的多量子阱激光器最高工作温度可达60 ℃,激射波长2.08 μm.室温下阈值电流为350 mA,20～50 ℃范围内特征温度为88 K.
关键词:
半导体激光器
,
分子束外延
韦文生
,
徐刚毅
,
王天民
,
张春熹
材料导报
介绍了氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜在电子学器件和光电转换器件(如隧道二极管、异质结二极管、变容二极管、单电子晶体管、太阳能电池、发光二极管)等方面的研究进展,分析了这些器件的性能与nc-Si:H薄膜结构之间的关系,阐述了新型器件的优点.
关键词:
nc-Si:H薄膜
,
隧道二极管
,
异质结二极管
,
变容二极管
,
太阳能电池
,
单电子晶体管
,
发光二极管
李耀耀
,
徐刚毅
,
张永刚
,
李爱珍
,
魏林
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.05.010
利用全息曝光方法制备了分布反馈量子级联激光器的光栅掩模,选择和发展了恰当的用于InGaAs/InP材料的光栅腐蚀优化工艺,得到腐蚀规律,讨论了腐蚀机制.在量子级联激光器的In-GaAs/InP层上制备光栅得到分布反馈量子级联激光器,其单模特性较好,信噪比大于30dB.
关键词:
分布反馈激光器
,
全息曝光
,
光栅制备
徐刚毅
,
王天民
,
王金良
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.01.010
利用高真空PECVD系统在p型单晶硅上沉积掺磷n型纳米硅薄层(nc－Si:H)，形成纳米硅/单晶硅Np异质结二极管,通过C－V和J－V测试研究了二极管的电学性质。C－V特性指出该异质结为突变型。J－V特性表明二极管具有很好的温度稳定性和整流特性。正偏压时二极管存在两种输运机制：小偏压时（<0.8V）二极管电流由 耗尽层纳米硅薄层一侧的载流子复合过程决定，纳米硅薄层由于能带弯曲而减小了禁带宽度，这是该二极管温度稳定性好的根本原因；大偏压（>1.0V）时电输运符合电荷限制电流（SCLC）模型。负偏压时电流主要来自空间电荷区中的产生电流。
关键词:
纳米硅/单晶硅
,
Np异质结二极管
,
输运机制
