卢振伟
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吴现成
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徐大印
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赵丽丽
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张道明
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王文海
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甄聪棉
材料导报
随着集成电路的飞速发展,半导体器件特征尺寸按摩尔定律不断缩小.SiO2栅介质将无法满足Metal-oxide-semniconductor field-effect transistor(MOSFET)器件高集成度的需求.因此,应用于新一代MOSFET的高介电常数(k)栅介质材料成为微电子材料研究热点.介绍了不断变薄的SiO2栅介质层带来的问题、对MOSFET栅介质材料的要求、制备高k薄膜的主要方法,总结了高k材料的研究现状及有待解决的问题.
关键词:
微电子材料
,
栅介质
,
等效SiO2厚度
,
薄膜
张道明
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吴现成
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徐大印
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赵丽丽
,
王文海
材料导报
多铁材料同时自发地具有铁电性、铁磁性或铁弹性,这些性质在一定条件下相互耦合,极大地改变了多铁材料的性能.人们又发现BiFeO3的居里温度Tc=820K和奈尔温度TN=643K远在室温之上,在同一相中同时具有铁电有序和反铁磁有序,这样可以用外加电场控制反铁磁畴提高磁性或者用外加磁场控制铁电畴,提高极化强度,所以该材料已成为一个研究热点.主要介绍了单相BiFeO3薄膜的结构和物理性质,同时介绍了多种提高单相BiFeO3薄膜磁化强度、铁电性和压电性的方法.
关键词:
磁电耦合
,
铁电性
,
磁化强度
,
压电性
