徐安怀
,
陈晓杰
,
齐鸣
,
朱福英
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.005
采用气态源分子束外延( GSMBE)技术,以四溴化碳( CBr4)作为碳杂质源,系统研究了 InP衬 底上碳掺杂 p型 InGaAs材料的外延生长及其特性,在 AsH3压力 5.33× 104Pa,生长温度 500℃条件 下获得了空穴浓度高达 1× 1020/cm3、室温迁移率为 45cm2/Vs的重碳掺杂 p型 In0.53Ga0.47As材料. 研究了 CBr4和 AsH3束流强度以及生长温度等生长条件对碳掺杂 InGaAs外延层组份、空穴浓度和 迁移率的影响,并对不同生长条件下的氢钝化效应进行了分析.
关键词:
分子束外延
,
碳掺杂
,
四溴化碳
,
InGaAs
,
异质结双极晶体管
林玲
,
王伟
,
徐安怀
,
孙晓玮
,
齐鸣
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.014
对柠檬酸系、盐酸系溶液腐蚀GaAs/InGaP异质结构材料体系时出现的腐蚀不均匀现象进行了实验研究,采用原子力显微镜(AFM)、电子显微镜、台阶仪等分析了不同腐蚀条件下GaAs/InGaP异质界面的腐蚀形貌,找到了简单有效的办法,可获得很好的表面平整度,同时侧向腐蚀也较小.
关键词:
湿法腐蚀
,
GaAs
,
InGaP
,
柠檬酸
徐安怀
,
邹璐
,
陈晓杰
,
齐鸣
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.018
本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管(HBT)材料及其特性的研究.通过对GSMBE生长工艺的优化,在半绝缘(100) InP衬底上成功制备了高质量的InGaAs/InP HBT材料,InGaAs外延层与InP衬底的晶格失配度仅为4×10-4量级,典型的InP发射区掺杂浓度(4×1017 cm-3)时,电子迁移率为800 cm2·V-1·s-1,具有较好的电学特性,可以满足器件制作的要求.
关键词:
分子束外延
,
异质结双极晶体管
,
InGaAs
,
InP
陈雷东
,
曹俊诚
,
齐鸣
,
徐安怀
,
李爱珍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.016
设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N+掺杂复合结结构.考虑隧穿作用和发射结空间电荷区复合电流的影响,计算了δ掺杂浓度和N+、n-层厚度等参数变化对InGaAs/InP DHBT电流、I-V输出特性、电流增益的影响,计算结果表明,随着这些参数值增大,InGaAs/InP DHBT输出特性逐渐改善.当δ掺杂浓度大于2×1012cm-3时,电流增益趋于饱和.
关键词:
InGaAs/InP HBT
,
δ掺杂层
,
阻挡层
,
N+高掺杂的复合集电极
,
I- V输出特性
