徐朝鹏
,
王倩
,
张磊
,
陈飞鸿
,
王永贞
,
纪亮亮
人工晶体学报
以高纯I2(5N)和In(7N)为原料,采用两温区气相输运法制备了InI多晶料,研究了高纯InI多晶合成工艺.用X射线粉末衍射(XRD)方法对合成的InI多晶进行结构测定,用扫描电子显微镜-X射线能量色散谱仪(SEM-EDS)对其成分进行分析,用等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)对其组成的元素进行痕量测定.研究结果表明:合成的InI多晶料晶格结构完整,纯度高,晶格参数为a=0.476 nm,b=1.278 nm,c =0.491 nm,且碘和铟比例接近1∶1.
关键词:
碘化铟
,
多晶合成
,
两温区气相输运法
,
结构分析
周玉祥
,
周德瑞
,
徐朝鹏
,
王锐
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.03.014
在LiNbO3中掺进ZnO和In2O3以Czochralski技术生长Zn∶In∶LiNbO3晶体.采用光斑畸变法测试Zn∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤能力.Zn∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体提高二个数量级.测试晶体的红外光谱,Zn∶In∶LiNbO3晶体吸收峰的位置相对LiNbO3晶体发生紫移,且随着Zn2+和In3+浓度增加紫移程度增加.晶体的倍频性能(相位匹配温度和倍频转换效率)研究表明:Zn∶In∶LiNbO3晶体相位匹配温度在室温附近.并研究了Zn∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤机理和OH-吸收峰紫移的机理.
关键词:
Zn∶In∶LiNbO3晶体
,
光损伤
,
倍频性能
夏宗仁
,
徐朝鹏
,
郑威
,
徐玉恒
功能材料
以Czochralski技术生长Mg(2mol%):Er(1mol%):LN,Mg(4mol%):Er(1mol%):LN,Mg(6mol%):Er(1mol%):LN,Mg(8mol%):Er(1mol%):LN和Er(1mol%):LN晶体.测试了Mg:Er:LiNbO3晶体的红外光谱,Mg(2mol%):Er:LN,Mg(4mol%):Er:LN OH-吸收峰在3486cm-1附近,Mg(6mol%):Er:LN和Mg(8mol%):Er:LN晶体OH-吸收峰移动到3535cm-1附近,对Mg:Er:LN晶体OH-吸收峰移动机理进行研究.采用m线法测试Mg:Er:LN晶体光损伤阈值.Mg(6mol%):Er(1mol%):LN和Mg(8mol%):Er:LN晶体光损伤阈值比Er:LN晶体提高两个数量级以上.Mg(2mol%):Er:LN和Mg(4mol%):Er:LN晶体比Er(1mol%):LN晶体提高一个数量级.
关键词:
Mg:Er:LN晶体
,
波导基片
,
光损伤
徐朝鹏
,
张磊
,
王倩
,
纪亮亮
,
李亚可
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150121
采用水平区熔法对由两温区气相输运法制备的InI多晶进行提纯,探索高纯、单相InI多晶的制备工艺。通过 X 射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜以及电感耦合等离子体原子发射光谱仪对水平区熔提纯前后的 InI 多晶的晶格结构、形貌组分以及杂质浓度进行了表征。结果表明,经过水平区熔提纯后的InI多晶晶格结构完整,质量较高,晶格参数为a=0.476 nm,b=1.278 nm,c=0.491 nm,与理论值十分接近； In、I化学配比得到了有效调节,其化学配比接近理论化学配比1：1；中间产物含量及杂质浓度显著降低。以提纯后InI多晶为原料,用提拉法生长出的InI单晶电阻率达到1010?·cm。
关键词:
碘化铟
,
多晶合成
,
气相输运
,
区域熔融
,
提纯
李亚可
,
徐朝鹏
,
甄西合
,
张文秀
,
王思思
,
贲永志
人工晶体学报
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了Ca掺杂MgF2晶体的几何结构、电子结构以及光学性质.结果表明:适量比例的Ca掺杂导致MgF2晶体禁带宽度变窄.在一定能量范围内,Ca掺杂对MgF2晶体的介电常数和吸收系数有调制作用,吸收系数增加有利于光生电子-空穴对的有效分离,提高了MgF2光催化效率,揭示了Ca掺杂MgF2体系在光催化方面的潜在应用.
关键词:
密度泛函理论
,
光学性质
,
Ca掺杂
,
MgF2
刘彩霞
,
徐朝鹏
,
徐玉恒
功能材料
在SBN中掺进0.1%(质量分数)CeO2和0.1%(质量分数)Eu2O3,以Czochralski技术生长Ce:Eu:SBN晶体,在空气中退火24h,退火温度为1300℃.测试Ce:Eu:SBN晶体的住相共轭反射率和响应时间.Ce:Eu:SBN晶体最大位相共轭反射率(R=92%)和响应时间(38s),以Ce:Eu:SBN晶体作为存储元件和位相共轭镜(阈值,增益反馈系统)进行全息关联存储实验.系统具有实时处理、反复使用、成像质量好、信噪比高等优点.Ce:Eu:SBN晶体是比SBN晶体全息存储性能更好的晶体.
关键词:
Ce
,
Eu:SBN晶体
,
全息存储性能
,
位相共轭
