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电化学外延生长亚稳态Co薄膜的结构和磁性表征

李宗木 , 徐法强 , 孙秀玉 , 张文华 , 王立武

金属功能材料 doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2007.06.002

用循环伏安法在单晶Cu(110)上沉积了亚稳态fcc相的Co磁性薄膜,并用法拉第定律估算了薄膜的厚度约为17 nm.X射线衍射结果表明薄膜具有(100)的单一取向结构,而用同样方法沉积在多晶Pt片上的Co薄膜则是六方多晶结构.用扫描电子显微镜、X射线以及同步辐射光电子能谱对薄膜的表面形貌、组成以及元素的化学态进行了表征,结果表明循环伏安法制备的薄膜平整连续,Co薄膜没有明显的氧化现象;磁性测量结果表明外延生长的薄膜具有典型的软磁特征,矫顽力约为100 Oe,剩磁比约0.86.软X射线磁性圆二色实验结果计算得到Co薄膜的自旋磁矩和轨道磁矩非常接近于Co体相材料的数据.

关键词: 电化学沉积 , 循环伏安法 , Co磁性薄膜 , 光电子能谱

MBE法生长ZnO纳米线阵列的结构和光学性能

郑志远 , 陈铁锌 , 曹亮 , 韩玉岩 , 徐法强

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00301

在氧等离子体辅助的MBE系统中, 以1 nm厚的Au薄膜为催化剂, 基于气?液?固(VLS)机制实现了低温ZnO纳米线阵列在Si(111)衬底表面的生长. 通过场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)可以观察到, ZnO纳米线阵列垂直生长在衬底上, 直径为20~30 nm. X射线衍射(XRD)和高分辨透射电镜(HRTEM)结果表明: ZnO纳米线为六方纤锌矿结构, 具有沿c轴方向的择优取向. 光致发光(PL)谱显示在380 nm附近有强烈ZnO本征发射峰, 475~650 nm可见光区域有较强的缺陷导致的发射峰.

关键词: ZnO , nanowire , MBE , VLS

AAO模板受热失重及发光机理的研究

韩玉岩 , 曹亮 , 徐法强 , 千坤 , 黄伟

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00305

为了深入理解草酸溶液中制备的阳极氧化铝(AAO)模板受热失重以及草酸根对模板发光性能的影响, 利用程序升温脱附与质谱联用(TPD-MS)、热重分析(TGA)、差热分析(DTA)以及光致发光(PL)等技术对AAO模板进行了系统研究. 热失重分析结果表明, 当温度低于402.2℃时, 发生H2O、CO以及CO2分子的脱附以及掺杂草酸的分解, 其中H2O的脱附为失重的主要原因; 在402.2~866.7℃范围内, 主要是草酸盐分解放出CO和CO2引起失重, CO为主要产物; 碳酸盐以及残余的草酸盐的剧烈分解发生在866.7~1022.9℃范围内, 主要放出CO2, 并且引起大量失重. 由热重结果及脱附产物中CO的摩尔比得到草酸根残余量随处理温度的变化趋势. 最后, 对模板PL强度、草酸根含量以及氧空位缺陷(F+)浓度三者随处理温度的变化趋势进行了关联, 对AAO模板发光的原因进行了分析.

关键词: 阳极氧化铝 , TPD-MS , thermogravimetric analysis , differential thermal analysis , photoluminescence

AAO模板受热失重及发光机理的研究

韩玉岩 , 曹亮 , 徐法强 , 千坤 , 黄伟新

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00305

为了深入理解草酸溶液中制备的阳极氧化铝(AAO)模板受热失重以及草酸根对模板发光性能的影响,利用程序升温脱附与质谱联用(TPD-MS)、热重分析(TGA)、差热分析(DTA)以及光致发光(PL)等技术对AAO模板进行了系统研究.热失重分析结果表明,当温度低于402.2℃时,发生H2O、CO以及CO2分子的脱附以及掺杂草酸的分解,其中H2O的脱附为失重的主要原因;在402.2~866.7℃范围内,主要是草酸盐分解放出CO和CO2引起失重,CO为主要产物;碳酸盐以及残余的草酸盐的剧烈分解发生在866.7~1022.9℃范围内,主要放出CO2,并且引起大量失重.由热重结果及脱附产物中CO的摩尔比得到草酸根残余量随处理温度的变化趋势.最后,对模板PL强度、草酸根含量以及氧空位缺陷(F+)浓度三者随处理温度的变化趋势进行了关联,对AAO模板发光的原因进行了分析.

关键词: 阳极氧化铝 , 程序升温脱附与质谱联用 , 热重分析 , 差热分析 , 光致发光

MBE法生长ZnO纳米线阵列的结构和光学性能

郑志远 , 陈铁锌 , 曹亮 , 韩玉岩 , 徐法强

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00301

在氧等离子体辅助的MBE系统中,以1 nm厚的Au薄膜为催化剂,基于气-液-固(VLS)机制实现了低温ZnO纳米线阵列在Si(111)衬底表面的生长.通过场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)可以观察到,ZnO纳米线阵列垂直生长在衬底上,直径为20~30 nm.X射线衍射(XRD)和高分辨透射电镜(HRTEM)结果表明:ZnO纳米线为六方纤锌矿结构,具有沿c轴方向的择优取向.光致发光(PL)谱显示在380 nm附近有强烈ZnO本征发射峰,475~650 nm可见光区域有较强的缺陷导致的发射峰.

关键词: ZnO , 纳米线 , 分子束外延 , VLS

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