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铕镧共掺稀土配合物Eu0.5La0.5(TTA)3phen与PVK共混体系发光特性的研究

程宝妹 , 邓振波 , 梁春军 , 张元元 , 郝金刚 , 徐登辉 , 肖静 , 王瑞芬

中国稀土学报

合成了一种新型的稀土铕配合物Eu0.5La0.5(TTA)3phen,把它作为发光材料应用于有机电致发光中.把铕配合物与高分子导电聚合物共混制得混合溶液,然后用旋涂的方法制得了发光层.实验中制备了单层、双层器件,讨论了器件的优化条件,并用能级图探讨了Eu0.5La0.5(TTA)3phen与PVK共混体系光致、电致发光的能量传递机制.优化后的双层器件,开启电压为6.5 V,在电压12.5 V,电流密度为68.48 mA*cm-2时器件达到最大亮度238.4 cd·m-2,发光效率0.35 cd·A-1.

关键词: 铕配合物 , 电致发光 , 能量传递 , 稀土

铽配合物[Tb(m-MBA)3phen]2·2H2O的有机电致发光

徐登辉 , 邓振波 , 张志峰 , 张梦欣 , 白峰 , 王瑞芬

中国稀土学报

将稀土铽配合物[Tb(m-MBA)3phen]2*2H2O作为发光材料应用于有机电致发光. 把铽配合物掺杂在PVK中经甩膜制得发光层, 并分别用AlQ和PBD作为电子传输层制作了两类有机电致发光器件. 器件1: ITO/PVK: [Tb(m-MBA)3phen]2*2H2O/ PBD/LiF/Al; 器件2: ITO/PVK: [Tb(m-MBA)3phen]2*2H2O/AlQ/LiF/Al, 研究了两种器件的电致发光性能, 并通过选择AlQ的厚度得到了发光性能较好的用AlQ作为电子传输材料的器件, 其最大亮度在20 V时达到140 cd*m-2.

关键词: 光学 , 电致发光 , 激子 , 稀土配合物

稀土配合物Tb(p-MBA)3phen的有机电致发光

徐颖 , 邓振波 , 徐登辉 , 肖静 , 王瑞芬

中国稀土学报

合成了一种新型的稀土铽配合物材料Tb(p-MBA)3phen,把它作为发光材料应用于有机电致发光中.把铽配合物掺杂在导电聚合物PVK中采用旋涂法制得发光层,并利用AlQ作为电子传输层制作了单层、双层有机电致发光器件:器件1(ITO/PVK):Tb(p-MBA)3phen/Al;器件2(ITO/PVK):Tb(p-MBA)3phen/AlQ/LiF/Al,得到了纯正的、明亮的Tb3+离子的绿光发射,4个特征峰分别对应着能级5D4到7Fj(j=6,5,4,3)的跃迁,而PVK的发光完全被抑制.研究了两种器件的电致发光性能,并通过选择AlQ的厚度得到了发光性能较好的器件,其最大亮度在20 V时达到152 cd·m-2.

关键词: 铽配合物 , 电致发光 , 激子 , 稀土

稀土铽配合物TbY(m-MOBA)6(phen)2·2H2O的有机电致发光单层器件的研究

肖静 , 邓振波 , 徐登辉 , 徐颖 , 王瑞芬

中国稀土学报

将新型稀土配合物TbY(m-MOBA)6(phen)2·2H2O掺杂到导电聚合物PVK中改善了铽配合物的成膜特性和导电性质.用此掺杂体系制作了单层发光器件,发现掺杂浓度为1:5,甩膜转速为1000r·min-1时器件的发光效果最好,起亮电压为9 V,最大亮度在17 V时达到15.7cd·m-2.对比[Tb(m-MOBA)3phen]2·2H2O的单层器件的发光,说明Y3+的存在促进了PVK到Tb3+的能量传递.

关键词: 电致发光 , 铽配合物 , 激子 , 稀土

KCl的纯度对OLED的影响

周恩宇 , 邓振波 , 徐登辉 , 吕昭月

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.05.011

KCl作为阴极修饰层插入电子传输层和阴极之间,能提高所修饰器件的亮度.但KCl的纯度对器件的影响究竟有多大,本文进行了研究.选取纯度为99.99%、99.5%与混有一定杂质的KCl(经测试纯度为95.3%),制作ITO/NPB(40 nm)/Alq3(60 nm)/KCl(1 nm不同纯度)/Al结构的器件,并分别研究其亮度、电流密度和效率特性.发现随着KCl纯度的提高,器件的性能和电流密度有所提高.同时起亮电压降低.其中99.99%纯度的KCl所制备的器件性能最好,在16 V时最大亮度为7 585 cd/m2,在9.4 mA/cm2,时最大效率为2.4 od/A.由此可见,阴极修饰层的纯度对器件的性能有较大影响.使用高纯度阴极修饰材料,防止其被污染,是制备器件所要考虑的因素之一.

关键词: KCI , 纯度 , 阴极界面修饰材料

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