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直流辉光放电CVD法均匀生长纳米金刚石薄膜的研究

游志恒 , 满卫东 , 吕继磊 , 阳硕 , 何莲 , 徐群峰 , 白华 , 江南

人工晶体学报

采用直流辉光放电化学气相沉积设备,以H2/CH4/Ar混合气体为工作气体,在2英寸硅片沉积出了晶粒尺寸为20~ 40 nm的纳米金刚石薄膜.采用SEM、Raman、微摩擦试验机等分析了不同CH4浓度、Ar浓度对NCD薄膜生长特性的影响.研究结果表明:金刚石薄膜的晶粒尺寸随着CH4浓度的增加而减小,但是过高的CH4浓度会导致石墨相大量生成;随着Ar浓度的增加,金刚石薄膜的晶粒尺寸逐渐细化,但过量Ar的掺入会降低金刚石薄膜的质量;在合适的工艺参数下,薄膜摩擦系数最低可以降低到0.12,NCD薄膜的最大沉积直径为140 mm.

关键词: 直流辉光放电 , 化学气相沉积 , 纳米金刚石 , 摩擦系数

一种链珠状SiO2纳米线的制备及分析

马洪兵 , 白华 , 薛晨 , 陶鹏飞 , 徐群峰 , 江南

无机材料学报 doi:10.15541/jim20150512

实验通过硅粉和氯化钙盐高温处理,以熔融CaCl2高温下产生的蒸气作为特殊的蒸发载体,在1300℃条件下通过热蒸发法在石墨基板表面获得了具有草坪状排列的特殊形状的纳米线.系列测试分析表明,该纳米线的直径为50~400 nm,长度约为几个微米,且为面心立方结构.另外,系统分析显示传统的纳米线生长模型如气-液-固(VLS)生长机制不能很好地解释该二氧化硅纳米线在石墨纸上的生长过程,本文提出的一种增强的气-液-固生长机制,可以很好地解释上述纳米线的生长过程.

关键词: 二氧化硅 , 热蒸发 , 草坪 , 生长机制

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