苏少坚
,
汪巍
,
胡炜玄
,
张广泽
,
薛春来
,
左玉华
,
成步文
,
王启明
材料导报
Ge1-xSnx是一种新型的Ⅳ族材料,具有广阔的应用前景,但是其生长存在许多困难,尤其是Sn易于分凝.采用离子轰击和快速变温等方法可以有效地抑制Sn的分凝,但是所生长的材料的热稳定性都比较差.采用化学气相沉积法获得了较高质量的Ge1-xSnx合金,但是所用的Sn气体源难以获得.综述了Ge1-xSnx合金外延生长的研究进展.
关键词:
Ge1-xSnx合金
,
外延
,
分凝
成步文
,
薛春来
,
罗丽萍
,
韩根全
,
曾玉刚
,
薛海韵
,
王启明
材料科学与工程学报
采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×105 cm-2.原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道产额低达3.9%,透射电镜分析则表明应变的弛豫主要是通过在Si与Ge的界面处形成失配位错来实现的.
关键词:
硅基
,
Ge
,
外延
赵雷
,
左玉华
,
李传波
,
成步文
,
罗丽萍
,
余金中
,
王启明
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.01.002
利用UHV/CVD系统,在一个相对较低的温度500℃下,研究了Si1-xGex层中的Ge含量与生长条件之间的关系,此时的Si1-xGex层处于一种亚稳的状态.并直接在Si衬底上生长制备了10个周期的3.0 nm-Si0.5Ge0.5/3.4 nm-Si多量子阱.拉曼谱、高分辨显微电镜和光荧光谱对其结构和光学性能进行的表征表明这种相对较厚的Si0.5Ge0.5/Si多量子阱结构基本上仍是近平面生长的,内部没有位错,其在电学和光学器件上具有潜在的应用.
关键词:
UHV/CVD
,
拉曼测量
,
光荧光
,
Si0.5Ge0.5
李代宗
,
于卓
,
雷震霖
,
成步文
,
余金中
,
王启明
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.02.020
利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统在650℃生长出表面光亮的GeSi单晶在1200L/min分子泵与前级机械泵间串接450L/min分子泵,改善了生长环境串接分子泵后生长的样品的X射线双晶衍射分析表明,外延层衍射峰半宽仅为198arcsec,且出现了Pendellosung干涉条纹,说明外延层结晶质量很好.
关键词:
超高真空化学气相淀积
,
GeSi
,
X射线双晶衍射
