邹林
,
涂扬
,
孟永鹏
,
成永红
,
张科
,
李锐海
,
刘通
绝缘材料
设计了聚乙烯与硅橡胶界面在不同界面压力下的局部放电试验系统，通过施加一定的界面压强模拟电缆附件中的界面压强，研究不同界面压强和不同表面粗糙度的聚乙烯对聚乙烯与硅橡胶界面的局部放电起始电压和局部放电特性的影响，通过建立界面接触放电模型和界面电场分布计算方法计算了局部放电起始电压，并结合试验结果分析界面放电机理。结果表明：聚乙烯表面越粗糙，局部放电起始电压越低；随着界面压强的增大，界面的局部放电起始电压增大，局部放电量逐渐减小，总放电次数也减小。
关键词:
界面
,
硅橡胶
,
电极系统
,
局部放电
孟国栋
,
西小广
,
成永红
,
吴锴
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2012.03.016
选取高压真空绝缘体系中常用的环氧树脂为研究对象,通过添加不同粒径的纳米无机填料,分析不同填料对沿面闪络过程的影响.利用闪络过程光谱实时测量系统分别研究红外光、可见光及紫外光范围内的闪络发光光谱的时域波形,从发光光谱的角度分析闪络过程的发生和发展机理.结果表明:闪络光谱强度并不随闪络电压的升高而增强,纳米无机氧化物的添加会引入更多的深陷阱能级,且会增加高能光子的发射.
关键词:
真空沿面闪络
,
环氧树脂
,
光谱分析
,
深浅陷阱
,
电子发射
陈玉
,
成永红
,
王增彬
,
周稼斌
,
阴玮
,
吴锴
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00907
在绝缘材料表面制备半导电性及高导热系数的涂层可以明显提高材料的沿面闪络性能．采用高真空反应磁控溅射方法, 在环氧基片表面溅射TiO2、ZrO2、HfO2薄膜, 使用快脉冲真空闪络实验装置(50ns/600ns, 前沿和半高宽时间), 在真空度5×10-3Pa时, 研究了上述三种氧化物薄膜的真空闪络特性．实验发现, TiO2和ZrO2薄膜以无定形态存在, 表面颗粒未晶化, 而HfO2薄膜已经晶化．TiO2薄膜的闪络电压最高, HfO2薄膜较低．TiO2和HfO2随着溅射时间的增加, 镀膜的真空闪络电压有所提高, 而ZrO2随着溅射时间的增加, 镀膜的真空闪络电压有所下降．结合ANSOFT静电场仿真数据, 分析了薄膜的基本特性对闪络后表面电位分布及闪络电压的影响机制．
关键词:
环氧基片
,
Ti sub-group
,
oxide thin films
,
nanosecond pulse
,
vacuum flashover
宋建成
,
高乃奎
,
成永红
,
乐波
,
谢恒堃
复合材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2002.05.020
对大电机定子环氧云母复合绝缘材料进行了长时间多因子应力老化,采用动态力学分析仪对不同老化阶段的复合绝缘材料进行了动态力学实验,分析了各力学参量与复合绝缘材料老化时间的关系.根据Eyring绝对反应速度理论,推导了复合绝缘材料玻璃化转变活化能的计算公式并计算了不同老化阶段复合绝缘材料的表观活化能.
关键词:
大电机
,
复合绝缘材料
,
多因子老化
,
动态力学分析
陈玉
,
成永红
,
王增彬
,
周稼斌
,
阴玮
,
吴锴
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.05.009
在绝缘材料表面制备半导电性及高导热系数的涂层可以明显提高材料的沿面闪络性能.采用高真空反应磁控溅射方法,在环氧基片表面溅射TiO2、ZrO2,HfO2薄膜,使用快脉冲真空闪络实验装置(50ns/600ns,前沿和半高宽时间),在真空度5×10-3Pa时,研究了上述三种氧化物薄膜的真空闪络特性.实验发现,TiO2和ZrO2薄膜以无定形态存在,表面颗粒未晶化,而HfO2薄膜已经晶化. TiO2薄膜的闪络电压最高,HfO2薄膜较低.TiO2和HfO2随着溅射时间的增加,镀膜的真空闪络电压有所提高,而ZrO2随着溅射时间的增加,镀膜的真空闪络电压有所下降.结合ANSOFT静电场仿真数据,分析了薄膜的基本特性对闪络后表面电位分布及闪络电压的影响机制.
关键词:
环氧基片
,
钛副族
,
氧化物薄膜
,
纳秒脉冲
,
真空闪络
