王占勇
,
周邦新
,
倪建森
,
徐晖
,
王现英
,
房永征
,
金鸣林
稀有金属材料与工程
随着稀土含量的增加,快淬薄带矫顽力提高,剩磁降低,当稀土总量为10at%和快淬速度为12 m/s时,快淬薄带的矫顽力可达955 kA/m.当稀土总量为9.5at%时,快淬薄带晶化后的磁性能几乎不受快淬速度的影响.Dy替代部分Nd,提高了快淬薄带的非晶形成能力和热稳定性;经过晶化处理后,快淬薄带的矫顽力明显提高,剩磁略有下降,居里温度提高.Pr替代部分Nd,也提高了快淬薄带的非晶形成能力和热稳定性:经过晶化处理后,快淬薄带的剩磁和矫顽力都有所增加.
关键词:
Nd2Fe14B/α-Fe
,
纳米复合永磁材料
,
磁性能
,
稀土
房永征
,
曹银平
,
金鸣林
,
杨俊和
,
钱湛芬
钢铁
根据焦炭的XRD谱图及SCHERRER’S公式研究了添加无烟煤炼焦后焦炭的微晶结构参数的变化。试验结果表明：添加无烟煤可以促进焦炭中微晶的发展，使焦炭微晶结构参数La、Lc和石墨化度增大。利用氮气吸附方法分析了焦炭气孔结构的变化，结果发现：添加无烟煤炼焦后焦炭的微孔体积、比表面积和平均孔径都有显著的降低。根据FHH模型计算了焦炭的分形维数。结果表明：在焦炭中存在分形结构，添加无烟煤炼焦后焦炭的分形维数降低，焦炭表面变光滑。
关键词:
无烟煤;焦炭;微晶;气孔结构;分形维数
房永征
,
曹银平
,
金鸣林
,
杨俊和
,
钱湛芬
钢铁
根据焦炭的XRD谱图及SCHERRER'S 公式研究了添加无烟煤炼焦后焦炭的微晶结构参数的变化.试验结果表明:添加无烟煤可以促进焦炭中微晶的发展,使焦炭微晶结构参数La、Lc和石墨化度增大.利用氮气吸附方法分析了焦炭气孔结构的变化,结果发现:添加无烟煤炼焦后焦炭的微孔体积、比表面积和平均孔径都有显著的降低.根据FHH模型计算了焦炭的分形维数.结果表明:在焦炭中存在分形结构,添加无烟煤炼焦后焦炭的分形维数降低,焦炭表面变光滑.
关键词:
无烟煤
,
焦炭
,
微晶
,
气孔结构
,
分形维数
金敏
,
徐家跃
,
房永征
,
何庆波
,
周鼎
,
申慧
人工晶体学报
采用坩埚下降法生长了LED用硅掺杂<511>取向的GaAs晶体.选用带籽最槽的PBN坩埚作为生长容器,密封在石英安瓶中以防止生长过程中As蒸汽挥发.研究了掺杂工艺、固液界面形貌和生长缺陷.结果表明:孪晶化是硅掺杂GaAs晶体生长的主要问题.探讨了孪晶形成机理,优化了生长工艺,成功获得了直径2英寸高质量的硅掺杂GaAs晶体,双摇摆曲线显示所得晶体的FWHM为40 arcsec.
关键词:
GaAs
,
晶体生长
,
坩埚下降法
,
硅掺杂
,
孪晶
徐家跃
,
王冰心
,
金敏
,
房永征
人工晶体学报
作为第二代半导体材料,GaAs晶体自60年前被发现以来已广泛应用于激光、通讯和显示等领域,并发展出液封提拉法、水平布里奇曼法、垂直梯度凝固法等多种生长工艺.本文总结了GaAs晶体的最新研究进展,探讨了各种生长方法的特点及其应用,重点报道了GaAs晶体坩埚下降法生长的研究成果.坩埚下降法具有一炉多产、易操作、低成本等优点,已成为GaAs晶体产业化的重要途径.掺杂不仅能调节GaAs晶体的性能,还会对晶体生长产生重要影响.本文还给出了Bi、Si、Zn等掺杂GaAs晶体生长结果,探讨了它们的性能、缺陷以及在不同领域里的应用.
关键词:
坩埚下降法
,
晶体生长
,
砷化镓晶体
,
掺杂
黄爱华
,
金鸣林
,
李和兴
,
房永征
材料导报
试验是以2种含不同QI的煤沥青为原料,采用变径反应管进行热转化反应制备有序性中间相的研究.试验采用偏光显微镜和扫描电镜(SEM)观察了原料各反应阶段的微观结构,考察了QI对热转化过程中中间相有序生长的影响,分析了热转化过程中软化点及族组分的变化.结果表明:少量的喹啉不溶物含量不会阻碍中间相有序的发展.高QI(2.03%)原料易生成镶嵌结构的中间相体,高温处理后样品呈轴状、短纤维、层片松散的石墨化焦结构;含低QI(0.11%)的原料能生成较好的、大区域的中间相体,域结构的中间相体在外力导向和内部裂解气流的作用下容易生成有序的半焦,高温处理后呈大区域、片层紧密、有序性强的细纤维焦结构.同时研究发现,在热转化过程中可通过测定软化点(SP)和TI含量来确定中间相转化程度.软化点约低于250℃、TI为75%左右时为初始中间相区域体形成阶段、半焦生成的前期.
关键词:
煤沥青
,
热转化反应
,
喹啉不溶物
,
中间相
王冰心
,
徐家跃
,
金敏
,
何庆波
,
房永征
人工晶体学报
使用<511>取向GaAs籽晶,在直径2英寸的pBN坩埚中生长了2.5％Bi掺杂的GaAs晶体.能量分散谱仪(EDS)和透过光谱均有Bi相关谱峰的存在,说明Bi原子已掺杂到GaAs晶体中.X射线双摇摆曲线测得半高峰宽值为42".与未掺杂GaAs晶体相比,所得晶体的禁带宽度出现红移,从1.43 eV移至近1.39 eV.扫面式电子显微镜(SEM)显示晶体中存在少量富Bi包裹物,晶体质量有待进一步改进.
关键词:
坩埚下降法
,
晶体生长
,
砷化镓晶体
,
Bi掺杂
田小兵
,
丁艳花
,
房永征
,
张娜
,
刘玉峰
,
李强
合成材料老化与应用
采用溶胶-凝胶法制备了镍离子掺杂的二氧化钛光催化材料，利用靛蓝胭脂红染料溶液为目标污染物在可见光下将其光催化降解，研究了不同Ni掺杂TiO2催化剂的光催化活性。重点研究了不同镍掺杂浓度和煅烧温度，表面状态等对镍掺杂二氧化钛催化剂的影响，其中镍的掺杂浓度为1%，经过400℃煅烧的催化剂的效果最好，在可见光下40 min就可以将10 mg/L的靛蓝胭脂红溶液降解完。
关键词:
镍掺杂二氧化钛
,
溶胶-凝胶法
,
光催化活性
