马春红
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马瑞新
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李士娜
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扈百直
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钟景明
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朱鸿民
稀有金属材料与工程
采用磁控溅射法以铌(Nb)掺杂氧化铟锡(ITO)为靶材制备了厚度为300 nm的ITO:Nb薄膜,研究了不同基底温度下,薄膜的结构、导电性和可见光区的透过率.XRD分析表明所制备的ITO:Nb薄膜均为In2O3相；AFM显示ITO:Nb薄膜的均方根粗糙度随着温度的升高逐渐变大;薄膜的电阻率随着温度的升高逐渐减小,在300℃时得到最小值1.2× 10-4Ω·cm.电阻率下降主要是因为霍耳迁移率增大和载流子浓度逐渐增加.ITO:Nb薄膜在可见光内的平均透过率均大于87％,且随着温度的升高,吸收边发生“红移”,禁带宽度逐渐增加.
关键词:
掺铌ITO
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透明导电薄膜
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基片温度
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性能
张树高
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扈百直
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吴义成
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方勋华
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黄伯云
功能材料
用化学共沉淀法制备了铟锡氧化物(ITO)复合粉末.粉末经冷等静压成型后进行热等静压致密化.热等静压时采用碳钢作包套,采用铜箔作隔层.实验研究了热等静压工艺参数--保温温度、保压压力和保温时间对ITO陶瓷靶材致密化的影响.实验结果表明:靶材的相对密度在大约1000℃处有一峰值;相对密度随压力增加而增加;当保温温度较低时,适当延长保温时间有利于提高密度;当保温温度较高时,延长保温时间反而使密度降低.分析了ITO在高温下的分解行为以及这种行为对致密化的作用.还分析了ITO复合粉末部分脱氧使ITO陶瓷半导化的机理.
关键词:
钢铝氧化物
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陶瓷靶材
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热等静压
,
致密化
