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等离子喷涂ZrC涂层耐烧蚀性能与机理研究

文波 , 马壮 , 柳彦博 , 王富耻 , 才鸿年

稀有金属材料与工程

采用等离子喷涂工艺在C/SiC基体材料表面制备了较为致密的W粘结层和ZrC耐烧蚀涂层,利用氧乙炔火焰测试其抗烧蚀性能.结果表明:涂层具有良好的抗烧蚀性能.经烧蚀距离30 mm的氧乙炔烧蚀300 s后,涂层的质量烧蚀率为1.7×10-3 g·s-1,仅为无涂层试样的68%;线烧蚀率为4.0×10-4 mm·s-1,仅为无涂层试样的30%.随着烧蚀距离的减小,涂层的质量烧蚀率不断增大,线烧蚀率不断减小.试样表面温度梯度导致涂层存在3种典型烧蚀形貌,中心致密区,过渡区以及边缘疏松区.温度较高的中心区氧化产物为WO3,其发生熔融并填充涂层内部孔隙和裂纹,形成致密层,且与ZrO2所产生的协同效应有效降低了机械剥蚀几率,烧蚀以热化学烧蚀为主;温度较低的边缘区烧蚀产物未发生熔融且呈现疏松状,烧蚀主要表现为热化学烧蚀和机械剥蚀.

关键词: C/SiC复合材料 , 耐烧蚀 , 等离子喷涂 , ZrC

衬底温度对钇稳定氧化锆薄膜择优生长的影响

文波 , 苏晓东

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.02.004

使用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上沉积钇稳定的氧化锆(YSZ)薄膜,用XRD分析薄膜的结晶取向,SEM和AFM观测薄膜表面形貌,研究了在200-650℃的不同衬底温度下薄膜的择优生长.结果表明:衬底温度较低的YSZ薄膜为非晶组织,衬底温度为300-500℃时YSZ晶粒以表面能低的(111)面首先择优生长,衬底温度超过550℃后晶粒活化能提高而使表面能较高的(100)晶粒择优生长.YSZ薄膜是典型的岛状三维生长模式,较高的衬底温度有利于原子在衬底表面迁移和重排结晶长大.同其它沉积技术相比,用PLD技术能在比较低的衬底温度下在Si(100)表面原位外延生长出较高质量的YSZ薄膜.

关键词: 无机非金属材料 , YSZ薄膜 , PLD沉积 , 择优生长 , 衬底温度

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