吴召平
,
方平安
无机材料学报
利用ＸＲＤ及ＸＲＤ极图技术表征了用激光剥离技术生长的ＶＯ２薄膜．结果表明：在衬底温度为５００℃，氧气偏压６．６７Ｐａ的条件下，在Ａｌ２Ｏ３（１１２０）衬底上能实现ＶＯ２的二维外延生长．薄膜的结构除了与沉积工艺有关外，还和衬底的取向密切相关．在Ａｌ２Ｏ３（１１２０）衬底上，定向生长的（１００）ＶＯ２在Ｍｉｌｌａｒ指数＜５时，除了［０１０］以外，不存在其他晶格矢量与衬底相匹配，从而不可能实现三维单晶薄膜的外延生长．电学特性的测试结果显示，在温度为６５℃左右，ＶＯ２薄膜出现相交，薄膜的电阻率变化达４个数量级．
关键词:
二氧化钒
,
null
,
null
,
null
方平安
,
吴召平
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2002.05.001
采用DTA,XRD,SEM,TEM研究了MgO-Al2O3-SiO2-Li2O-R2O-F(R＝Na,K)玻璃系统晶化过程中的晶相与显微结构演变.结果表明,基础玻璃的分相自650℃开始;700℃以下,初期云母相出现;750℃β-锂辉石开始形成;850～950℃之间,随着Mg2+,K+,F-的扩散进入,β-锂辉石与玻璃相产生交代反应,以过渡相形式转变成云母类固溶体;在950℃以上;β-锂辉石不断转化为锂云母固溶体,云母晶体尺寸长大明显.
关键词:
微晶玻璃
,
锂云母
,
β-锂辉石
,
显微结构
吴召平
,
方平安
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.05.020
利用XRD及XRD极图技术表征了用激光剥离技术生长的VO2薄膜. 结果表明:在衬底温度为500℃,氧气偏压6.67Pa的条件下,在α-Al2O3(ll0)衬底上能实现VO2的二维外延生长. 薄膜的结构除了与沉积工艺有关外,还和衬底的取向密切相关. 在α-Al2O3(110)衬底上,定向生长的(100)VO2在Millar指数<5时,除了[010]以外,不存在其他晶格矢量与衬底相匹配,从而不可能实现三维单晶薄膜的外延生长. 电学特性的测试结果显示,在温度为65℃左右,VO2薄膜出现相变,薄膜的电阻率变化达4个数量级.
关键词:
二氧化钒
,
相变
,
极图
,
外延
方平安
,
顾辉
,
Vleugels Jef
,
Van der Biest Omer
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.05.007
采用XRD、SEM、 TEM等分析手段对由液相包覆工艺制备的Ce-TZP陶瓷的微结构进行了研究, 并和共沉淀粉体制备的Ce-TZP陶瓷进行了对比分析.力学性能表明, 同共沉淀粉体制备的Ce-TZP陶瓷相比, 由液相包覆工艺制备的Ce-TZP陶瓷虽硬度下降, 但断裂韧性改善; 液相添加少量 Al2O3硬度随之增加、断裂韧性显著提高.电镜分析表明, 液相包覆工艺制备的Ce-TZP陶瓷晶粒尺寸分布宽化, 一部分晶粒尺寸较大但CeO2含量低、易发生马氏体相转变晶粒的存在是断裂韧性改善的主要原因.陶瓷体中单斜相大晶粒与四方相之间的残余应力、添加少量 Al2O3在晶界上易形成薄的非晶包裹层, 是增加可相变四方相数量, 提高断裂韧性的其它机制.
关键词:
Ce-TZP陶瓷
,
包覆
,
力学性能
,
相变
方平安
,
顾辉
,
宋元伟
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2002.01.012
采用高空间分辨率扫描透射电镜(STEM)对掺杂(Fe3+、Nb5+)SrTiO3晶界进行了观察,并利用采集的电子能量损失谱(EELS)对晶界组成进行了分析.结果表明,掺杂Fe的SrTiO3陶瓷晶界存在1 nm左右的非晶膜,同晶体内部相比晶界缺Sr;三叉晶界为钛基玻璃相,Ti、O及Fe含量明显高于晶界.掺Nb的SrTiO3陶瓷晶界同晶粒相比同样缺Sr,三叉晶界主要以SiO2非晶相为主.Fe3+、Nb5+对Ti4+的替位及在晶界的偏析引起SrTiO3晶格畸变是导致晶界组成变化的主要原因.
关键词:
EELS
,
SrTiO3
,
晶界
,
掺杂
,
偏析
