明亮
,
尹传强
,
魏秀琴
,
周浪
材料科学与工程学报
氮化硅及氮氧化硅粉体在多晶硅光伏产业中有重要应用.本文研究其气相反应形成条件.研究结果显示,晶体硅微粉的气相氮化及氮氧化特性与体材大不相同,它使得硅的氮化和氮氧化得以在体系中氧分压远高于热力学临界平衡氧分压、处于氧化硅稳定区的条件下实现.其原因在于反应过程中粉体表层氧化反应后耗氧,使粉体内部实际氧分压大幅度降低.实验结果表明,晶体硅微粉的气相氮化约需1400℃方能有效进行,在气相反应条件下,α-Si3N4与βSi3N4均能形成,随保温时间延长,旷Si3N4相对量提高;晶体硅微粉在氮-氧混合气体中的氮氧化行为对气氛的氧分压十分敏感,氧分压较高时形成SiO2并阻止反应进一步进行,较低时形成Si3N4,氧分压为0.1atm时较适合Si2N2O形成.
关键词:
硅
,
氮化硅
,
氮氧化硅
,
粉体
,
热力学平衡
明亮
,
习霞
,
陈婷婷
,
刘杰
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2008.07.016
运用循环伏安法、线性扫描伏安法及示差脉冲伏安法等测试技术研究了氨氯地平在多壁碳纳米管修饰玻碳电极上的电化学行为,建立了一种直接测定氨氯地平的电化学分析方法.结果表明,与裸玻碳电极相比,多壁碳纳米管修饰电极能显著提高氨氯地平的氧化峰电流.在优化的实验条件下,氧化峰电流与氨氯地平浓度在1.0×10-7-7.5×10-5 mol/L范围呈现良好的线性关系,检出限为4.0×10-8 moL/L.对1.0×10-5moL/L氨氯地平溶液平行测定10次的RSD为4.2%.测定了氨氯地平片剂中氨氯地平的含量.结果满意.
关键词:
氨氯地平
,
伏安测定
,
碳纳米管
,
化学修饰电极
