鄢俊兵
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李佐宜
,
晋芳
,
董凯锋
,
林更琪
功能材料
利用两步阳极氧化方法在玻璃基板上成功制造孔洞排列有序的多孔氧化铝基底,实验结果表明,孔洞大小范围在10～50nm,孔洞大小可通过氧化电压和氧化温度进行调节,随氧化电压和温度降低而减小.多孔氧化铝底层对其上溅射生长的TbFeCo磁性能有重要影响,多孔氧化铝基底对TbFeCo的畴壁运动有较强的钉扎作用,增大其矫顽力,矫顽力随孔洞的直径增大而减小,从15nm时的4.5×105A/m下降到40nm时的2.8×105A/m,并逐步趋近无AAO膜板时TbFeCo的矫顽力.同时多孔氧化铝基底的引入,使TbFeCo薄膜的矫顽力机制从以磁晶各向异性为主改变为以形状各向异性为主.
关键词:
多孔阳极氧化铝
,
TbFeCo
,
SEM
,
磁性能
程伟明
,
李佐宜
,
杨晓非
,
林更琪
,
晋芳
,
孙翔
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2006.04.002
采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了NdTbCo/Cr非晶垂直磁化膜.探讨了溅射功率与溅射时间对薄膜磁性能的影响,发现当溅射功率为250 W,溅射时间为4 min时,垂直膜面方向矫顽力为272.8 kA·m-1,剩磁矩形比达到0.801,可以较好地满足高密度垂直磁记录的要求.研究了 Nd掺杂对薄膜磁性能与磁光性能的影响,发现随着Nd掺杂量的增多,薄膜的矫顽力从413.8下降为210.9 kA·m-1,饱和磁化强度与克尔旋转角则分别从144 kA·m-1和0.2720°上升为252 kA·m-1和0.3258°.温度对NdTbCo/Cr薄膜克尔旋转角的影响也与Nd的掺杂量密切相关.
关键词:
射频磁控溅射
,
非晶垂直磁化膜
,
矫顽力
,
剩磁矩形比
,
饱和磁化强度
,
克尔旋转角
黄致新
,
李佐宜
,
但旭
,
晋芳
,
林更琪
稀有金属材料与工程
在SPF-430H溅射系统上采用不加偏压的射频磁控溅射法制备了TbCo非晶垂直磁化膜,并就Cr底层对TbCo非晶垂直磁化膜磁性能的影响进行了研究.结果表明,Cr底层的存在能够增强TbCo非晶垂直磁化膜的磁各向异性,并使得其矫顽力增加.分别采用VTBH-1型高感度振动样品磁强计和MTL-1磁转矩系统测量了TbCo薄膜的磁滞回线和磁转矩曲线.结果发现,厚度为120 nm,并带有180 nm厚度Cr底层的Tb31C69薄膜的矫顽力和磁各向异性能分别高达51.2×104 A/m和0.457 J/cm3;没有带Cr底层的同样厚度的Tb31C69薄膜的矫顽力和磁各向异性能分别只有35.2×104 A/m和0.324 J/cm3.Hitachi X-650型扫描电镜的观测结果表明,带有Cr底层的TbCo薄膜具有柱状结构,这一柱状结构导致了磁各向异性能的增强以及矫顽力的提高.
关键词:
磁性
,
TbCo/Cr薄膜
,
磁控溅射
晋芳
,
李佐宜
,
黄致新
,
李震
,
程晓敏
材料导报
光磁混合记录技术是一种将磁光记录及磁记录的优点相结合,获得极高存储密度的新型数据记录方式.文中较全面地介绍了这种记录方式的基本原理、读写方式、记录介质及记录磁头研究现状,展望了这种记录方式的前景,探讨了目前所面临的问题.
关键词:
光磁混合记录
,
高密度存储
,
超顺磁极限
,
巨磁阻磁头
晋芳
,
李佐宜
,
程伟明
,
鄢俊兵
,
林更琪
,
谢长生
功能材料
采用磁控溅射法制备了DyCo/Cr非晶垂直磁化膜.振动样品磁强计(VSM)测试结果显示,有无Cr底层的DyCo薄膜都具有垂直磁各向异性,加入Cr底层能将DyCo薄膜的矫顽力从163kA/m提高到290kA/m.薄膜断面扫描电镜(SEM)照片可以看出,Cr底层能够诱导上层的DyCo薄膜形成柱状结构.这一柱状结构导致了薄膜矫顽力的提高.
关键词:
垂直磁化膜
,
稀土-过渡金属(RE-TM)
,
DyCo/Cr薄膜
,
矫顽力
晋芳
,
李佐宜
,
鄢俊兵
,
林更琪
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00595
采用两次阳极氧化法制备了孔洞排列有序的多孔氧化铝基底,并在其上用磁控溅射法制备了SmTbCo垂直磁化膜. 振动样品磁强计(VSM)测试结果显示,加入阳极氧化铝底层后可以将SmTbCo薄膜的矫顽力从370kA/m提高到530kA/m,并且随着氧化铝底层孔洞直径的减小,上层SmTbCo磁性薄膜的矫顽力与剩磁矩形比随之增大. 由薄膜断面的扫描电镜(SEM)照片可以看出,阳极氧化铝底层由于其自组织效应所形成规则密集的六角边形多孔结构能够明显促使上层的SmTbCo磁性薄膜生成柱状结构. 这一柱状结构提高了薄膜的矫顽力,从而拓宽了SmTbCo薄膜材料在超高密度垂直磁记录中的应用.
关键词:
多孔阳极氧化铝
,
垂直磁化膜
,
稀土
,
过渡金属(RE-TM)
,
SmTbCo/AAO薄膜
