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Co在Pt(111)面上电结晶的STM及REM研究

印仁和 , 施文广 , 秦勇 , 曹为民 , 吕康 , 周天健 , 张益 , 于新根

金属学报

采用0.05mol/L H3BO3+0.01mol/L CoSO4溶液, 在Pt(111)面上获得了电结晶Co利用电化学扫描隧道显微镜(ECSTM)及反射电子显微镜(REM), 观察了不同过电位时Co的成膜过程, 证实了Co在Pt(111)面上的电结晶均为三维岛状生长方式.

关键词: 电结晶 , null , null , null , null

钢板电镀锌表面聚苯胺膜硅烷改性的研究

印仁和 , 张磊 , 董晓明 , 姬学彬 , 张新胜 , 曹为民 , 石新红

金属学报

在加入硅烷偶联剂γ-APS的苯胺中性溶液中采用恒电流法在电镀锌钢板上制备聚苯胺膜, 采用SEM观测其表面形貌, 测试不同条件下聚合膜的厚度.交流阻抗和盐雾实验表明, 加入-APS后, 聚苯胺膜层的致密性和防护性明显提高, 接近铬酸盐钝化膜. 通过XPS分析, 得到γ-APS改性聚苯胺膜掺杂度为11%、氧化度为64%; 与改性前聚苯胺膜相比较,掺杂度降低、氧化度增高. 结合红外光谱和XPS分析, 发现聚苯胺膜中存在4种化学环境:C-Si-O-Si, C-Si-OH, C-Si-O-C, C-Si-O-Zn.

关键词: 镀锌钢板 , γ-APS , EIS , anticorrosion property

Co/Pd纳米多层膜的制备及其磁性能

曹为民 , 陈浩 , 石新红 , 朱律均 , 姬学彬 , 张磊 , 印仁和

金属学报

以单晶Si(111)为基底, 采用双槽法电结晶制备了Co/Pd纳米多层膜, 使用电化学石英晶体微天平(EQCM)精确测定沉积过程中Co和Pd膜的质量随沉积时间的变化.通过电位阶跃法探讨了沉积层晶体成核机理, 得到Co和Pd电结晶初期均为三维瞬时成核过程.X射线衍射(XRD)研究表明, Co和Pd的结晶与生长显示择优取向, 出现了111Co-Pd的合金峰. 并用物性测量系统(PPMS)测试了Co/Pd多层膜的磁性能, 所得磁滞回线表明: 矫顽力随着多层膜磁性层厚度的减小而增大,可达到9.0104 A/m

关键词: 电结晶 , null , null

钢板电镀锌表面聚苯胺膜硅烷改性的研究

印仁和 , 张磊 , 董晓明 , 姬学彬 , 张新胜 , 曹为民 , 石新红

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2007.04.014

在加入硅烷偶联剂γ-APS的苯胺中性溶液中采用恒电流法在电镀锌钢板上制备聚苯胺膜,采用SEM观测其表面形貌,测试不同条件下聚合膜的厚度.交流阻抗和盐雾实验表明,加入γ-APS后,聚苯胺膜层的致密性和防护性明显提高,接近铬酸盐钝化膜.通过XPS分析,得到γ-APS改性聚苯胺膜掺杂度为11%、氧化度为64%;与改性前聚苯胺膜相比较,掺杂度降低、氧化度增高.结合红外光谱和XPS分析,发现聚苯胺膜中存在4种化学环境:C-Si-O-Si,C-Si-OH,C-Si-O-C,C-Si-O-Zn.

关键词: 镀锌钢板 , 聚苯胺 , 交流阻抗 , 耐蚀性 , 铬酸盐钝化膜

Co/Pd纳米多层膜的制备及其磁性能

曹为民 , 陈浩 , 石新红 , 朱律均 , 姬学彬 , 张磊 , 印仁和

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2008.04.012

以单晶Si(111)为基底,采用双槽法电结晶制备了Co/Pd纳米多层膜,使用电化学石英晶体微天平(EQCM)精确测定沉积过程中Co和Pd膜的质量随沉积时间的变化.通过电位阶跃法探讨了沉积层晶体成核机理,得到Co和Pd电结晶初期均为三维瞬时成核过程. X射线衍射(XRD)研究表明,Co和Pd的结晶与生长显示择优取向,出现了111Co-Pd的合金峰.并用物性测量系统(PPMS)测试了Co/Pd多层膜的磁性能,所得磁滞回线表明:矫顽力随着多层膜磁性层厚度的减小而增大,可达到9.0×104 A/m.

关键词: 电结晶 , Co/Pd纳米多层膜 , X射线衍射 , 电化学石英晶体微天平 , 磁滞回线

Cu的腐蚀与缓蚀的光电化学研究

徐群杰 , 朱律均 , 齐航 , 曹为民 , 周国定

金属学报

用光电化学方法研究了Cu在不同浓度NaCl的硼酸--硼砂溶液中的腐蚀以及缓蚀剂聚天冬氨酸(PASP)对Cu的缓蚀作用. Cu在硼酸--硼砂缓冲溶液中, 表面的Cu2O膜为p型半导体. 当Cu所在的溶液中存在少量NaCl (小于0.5 g/L)时, Cu表面Cu2O膜会受轻微Cl-掺杂但不会改变半导体性质; 当溶液中存在较多NaCl (0.5-15 g/L)时, Cu2O膜会受Cl-较严重的侵蚀, Cl-掺杂使Cu2O膜部分转成n型; 当溶液中存在大量NaCl (大于15 g/L)时, Cu$_{2}$O膜完全被Cl-掺杂而转型成n型. 缓蚀剂PASP的加入能够对Cu起到缓蚀作用:当NaCl浓度为2 g/L时, PASP与溶液中的Cl-在Cu表面竞争吸附, 明显抑制了Cl-对Cu2O膜的掺杂, Cu2O受到了保护仍为p型; 在NaCl浓度为30 g/L时, PASP与Cl-竞争吸附只能削弱Cl-对Cu2O膜的掺杂, Cu2O膜仍受Cl-掺杂而转成n型, 但n型性质变弱. 对Cu2O膜性质的Mott-Schottky测试结果与光电化学结果一致.

关键词: Cu , Photoelectrochemistry , Corrosion , Inhibitor , PASP

碳纳米管电极电催化氧化降解染料溶液的研究

方建慧 , 温轶 , 施利毅 , 曹为民

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01351

研究了经高温焙烧结合高速球磨处理后的碳纳米管的结构及形貌, 测定了其相应的比表面积. 对碳纳米管冷压成形制得的电催化电极的表面形貌进行了分析. 分别以活性炭、石墨、碳纳米管作为电催化阳极, 处理模拟染料废水活性艳红X-3B溶液, 实验结果表明: 碳纳米管电极电催化稳定性较好, 经电催化氧化反应20min后, X-3B染料的降解率达到96.55%, 其电催化降解效率明显优于活性炭和石墨电极.

关键词: 碳纳米管 , electrochemical method , organic wastewater

用临界钝化电流法和液晶法检测金属氧化物膜的缺陷率

印仁和 , 曹为民 , 李亚君 , 李卓棠 , 荣国斌

金属学报

用临界钝化电流(CriticalPassivationCurrentDensity.CPCD)法和液晶法,研究了不锈钢上Ta2O5,ZrO2的高频溅射膜的缺陷率建立了CPCD法中与薄膜有关的电流密度If与膜厚d之间的关系式:If=k(1-θ)d.利用液晶的动态散射模型(DynamicScatteringMode,DSM),建立了动态无损伤检测膜缺陷率的新方法,并证明了这两种方法的检测结果有良好的直线关系。

关键词: 临界钝化电流密度法 , DSM , liquid crystal , oxide film , defect

流动槽滴入法电结晶制备铜钴纳米多层膜

曹为民 , 石新红 , 印仁和 , 朱律均 , 胡滢

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.04.019

在硼酸镀液体系中采用流动槽滴入法电结晶制得Cu/Co纳米多层膜,通过循环伏安法确定Cu、Co电结晶电位,分别为-0.55V和-1.05V(vs.SCE),通过X射线衍射技术(XRD)和X射线荧光光谱法(XRF)对Cu/Co纳米多层膜的结构、成份进行了分析.并用物性测量系统PPMS测试了Cu/Co多层膜的磁性能,结果表明:电结晶制备的Cu/Co多层膜的矫顽力比较小,仅为34 Oe,适合作巨磁阻磁头材料,其磁电阻随磁场强度的增大而减小,且约在3000 Oe时磁电阻趋于饱和,此时的巨磁阻效应GMR值达到了14%.

关键词: 电结晶 , 流动槽滴入法 , Cu/Co纳米多层膜 , X射线衍射 , GMR

Co/Cu纳米多层膜的制备及巨磁阻性能的研究

胡滢 , 曹为民 , 印仁和 , 俞文清 , 曾绍海 , 王慧娟

功能材料

采用恒电位双电解槽法在硼酸镀液体系中,以单晶Si(111)为基底电沉积制备Co/Cu多层膜,确定了双槽法制备多层膜的工艺条件,为得到优良的多层膜巨磁阻材料,镀液体系中加入了自制的添加剂.并用扫描电镜(SEM)表征了多层膜的断面形貌,小角度X射线衍射(LXRD)谱图中出现了2个衍射峰,大角度X射线衍射(MXRD)谱图中强衍射峰的两侧出现了卫星峰,表明多层膜具有超晶格结构.用物性测量系统(PPMS)测试了Co/Cu多层膜的巨磁阻(GMR)性能,GMR值达到52.52%.

关键词: 电沉积 , Co/Cu纳米多层膜 , X射线衍射 , 巨磁阻效应

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