叶剑
,
曹春斌
功能材料
在硅片和石英上利用射频溅射法沉积了TiO2薄膜,并分别在空气中进行了退火处理。利用椭偏光谱仪对硅片上薄膜进行了椭偏测试,利用紫外-可见分光光度计对石英上薄膜进行了透射光谱测试。利用解谱软件对椭偏谱和透射谱进行了建模解谱,获得了不同基片上薄膜在不同退火温度下的折射指数和消光系数,发现和TiO2块材的光学常数也有明显的区别。通过计算得到了系列薄膜的光学带隙,带隙值范围从3.35～3.88eV,可以为薄膜态TiO2体系的光学应用、设计和相关理论研究提供一定的依据。
关键词:
射频磁控溅射
,
TiO2薄膜
,
椭圆偏振技术
,
光学性能
江锡顺
,
曹春斌
,
蔡琪
,
宋学萍
,
孙兆奇
功能材料
采用射频磁控溅射法分别在不同温度衬底上制备了厚度为320nm的ZnS薄膜,用XRD和光学相移技术研究了不同衬底温度下薄膜的微结构和应力.结果表明:不同温度衬底上沉积的ZnS薄膜均呈多晶状态,衬底温度由50℃上升到400℃的过程中,其择优取向发生了变化,晶粒有明显的生长方向;ZnS薄膜应力随着衬底温度升高逐渐减小,衬底温度在250～350℃之间的ZnS薄膜应力较小且在选区内分布比较均匀.
关键词:
ZnS薄膜
,
衬底温度
,
微结构
,
应力
江锡顺
,
曹春斌
,
宋学萍
,
孙兆奇
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.04.008
采用直流磁控溅射法在普通载玻片上制备了氧化铟锡透明导电薄膜(ITO).制备出的薄膜在大气环境下退火,退火温度分别为100℃、200℃和300℃,保温时间为1 h.对薄膜中铟锡原子的氧化程度及其光电特性进行了测试与分析.结果表明:退火温度的升高,有助于提高ITO薄膜中Sn原子氧化程度,从而提高了薄膜在可见光范围内的透射率;退火温度为200℃时,In原子氧化程度较高,薄膜中氧空位数量最多,电阻率最低为6.2×10-3Ω·cm.
关键词:
ITO薄膜
,
磁控溅射
,
氧化程度
,
光电特性
