赵志明
,
马二云
,
张晓静
,
田亚萍
,
屈直
,
百穹
,
曹智睿
,
白力静
,
张国君
,
蒋百灵
功能材料
摘要：在室温下，分别利用常规磁控溅射和反应磁控溅射技术交替沉积Si薄膜和Si1-xNx薄膜在单晶硅基体上制备了Si／Si1-xNx纳米多层膜。接下来，在高温下对Si／Si1-xNx多层膜进行退火诱发各层中形成硅纳米晶。研究了Si1-xNx层厚度和N2流量沉积对si／Si1-xNx多层膜中Si量子点形成的影响。TEM检测结果表明，N2流量为2．5mL／min时沉积的多层膜退火后形成了尺寸为20-30nm的等轴Si3N4纳米晶；N2流量为5．0mL／min时沉积的多层膜退火后在Si层和Si1-xNx层中均形成了硅纳米晶，而在7．5mL／min N2流量下沉积的Si／Si1-xNx多层膜退火后仅在Si层中形成了硅纳米晶。
关键词:
磁控溅射技术
,
Si/Si1-xNx多层膜
,
Si纳米晶
,
Si3N4纳米晶
,
TEM
赵志明
,
丁宇
,
曹智睿
,
田亚萍
,
屈直
,
张国君
,
蒋百灵
材料导报
利用磁控溅射技术在Sode-lime玻璃衬底上沉积CIGS薄膜太阳能电池用金属Mo背电极薄膜,并研究了Mo靶功率、基片脉冲宽度以及预清洗时间对Mo薄膜的相结构、形貌及电阻率的影响.结果表明,沉积的Mo薄膜均沿(110)晶面呈柱状择优生长;增大Mo靶溅射功率可以促进薄膜晶粒长大、提高薄膜的致密性、降低电阻率;合适的基片脉冲电压脉宽促进了晶核的形成、长大并有助于沉积过程中Mo晶粒长大,进而降低薄膜电阻率;通过延长预清洗时间可获得致密性好、电阻率低的Mo薄膜,所获得的Mo薄膜最低电阻率为3.5×10-5Ω·cm.
关键词:
Mo薄膜
,
磁控溅射
,
XRD
,
SEM
赵志明
,
张晓静
,
马二云
,
曹智睿
,
白力静
,
蒋百灵
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.03.014
在室温下,利用不同磁感应强度相对分布因子S的磁控阴极溅射沉积了金属Mo薄膜.实验研究了磁控阴极S值对放电参数、Mo薄膜的结构、形貌及性能的影响.分别利用XRD,SEM和四探针技术对Mo薄膜的相结构、表面和截面形貌及电阻率进行表征分析.结果表明,随着磁控阴极S值的增加,Mo靶放电电压降低,而放电电流增加；不同S值的磁控阴极沉积的Mo薄膜均呈现多晶结构,且具有柱状生长特征；随着磁控阴极S因子的增加Mo膜的厚度和电导率呈现先增加而后减小的变化规律,电阻率最小可达4.9×10-6Ω·cm.
关键词:
磁感应强度分布因子
,
Mo薄膜
,
磁控溅射
,
电阻率
