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垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体时坩埚下降速度的优化研究

李万万 , 桑文斌 , 闵嘉华 , 郁芳 , 张斌 , 王昆黍 , 曹泽淳

无机材料学报

在垂直布里奇曼法(VBM)晶体生长的过程中,坩埚下降速度和晶体生长速度之间的关系对生长出来的晶体质量有很大的影响。本文采用有限元法对探测器材料CdZnTe的晶体生长过程进行了热分析,主要研究了不同的坩埚下降速度对生长过程中晶体生长速度及固液界面形状的影响,发现材料的热导率和相变潜热的比值是影响固液界面形状的主要内因。模拟结果表明,当坩埚下降速度Vp≈1mm/h时,其数值与晶体生长速度接近相等,可获得接近水平的固-液界面。实际的晶体生长实验结果与计算机模拟的结论基本一致。因此,通过适当的选择和调节坩埚下降速度是获得高质量晶体的可行技术方案。

关键词: CdZnTe , vertical bridgman method , finite element method , experimental study

Cd在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的有效扩散系数与扩散激活能

刘洪涛 , 桑文斌 , 李万万 , 张斌 , 闵嘉华 , 詹峰 , 曹泽淳

稀有金属材料与工程

为了计算Cd在Cd0.9Zn0.1Te(CZT)晶体中的有效扩散系数DCd与扩散激活能QCd,利用Cd在CZT晶体中的扩散特性,设计了在不同Cd压下对CZT的退火实验,推导出了晶体电阻率与Cd有效扩散系数之间的函数关系,经过计算,首次获得了在1073 K,973 K和873 K温度时Cd原子在CZT晶体中的有效扩散系数DCd,分别为1.464×10-10cm2/s,1.085×10-11cm2/s和4.167×10-13cm2/s.将扩散数据经过拟合后得到了Cd原子在CZT晶片中有效扩散系数的表达式:2.33×exp(-2.38 eV/kT)(873 K~1073 K),其中扩散激活能QCd为2.38 eV.

关键词: Cd0.9Zn0.1Te(CZT) , 有效扩散系数DCd , 扩散激活能QCd , 数值拟合

垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体时坩埚下降速度的优化研究

李万万 , 桑文斌 , 闵嘉华 , 郁芳 , 张斌 , 王昆黍 , 曹泽淳

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.04.003

在垂直布里奇曼法(VBM)晶体生长的过程中,坩埚下降速度和晶体生长速度之间的关系对生长出来的晶体质量有很大的影响.本文采用有限元法对探测器材料CdZnTe的晶体 生长过程进行了热分析,主要研究了不同的坩埚下降速度对生长过程中晶体生长速度及固液界面形状的影响,发现材料的热导率和相变潜热的比值是影响固液界面形状的主要内因.模拟结果表明,当坩埚下降速度Vp≈1mm/h时,其数值与晶体生长速度接近相等,可获得接近水平的固-液界面.实际的晶体生长实验结果与计算机模拟的结论基本一致.因此,通过适当的选择和调节坩埚下降速度是获得高质量晶体的可行技术方案.

关键词: CdZnTe , 垂直布里奇曼法 , 有限元法 , 实验研究

化学镀工艺中粉体形貌对复合电接触材料性能的影响

张晓燕 , 施凌云 , 吴正纯 , 曹泽淳 , 张家鼎

物理测试 doi:10.3969/j.issn.1001-0777.2001.06.001

本文研究了化学包覆工艺对Ag80(WC70 TiC30)17C3新型复合电接触材料粉体形貌和性能的影响.结果显示控制制粉工艺参数可使粉体有不同程度的聚集和不同的形貌,使粉体有不同的松装密度,而体材料具有不同的电阻率.

关键词: 复合电接触材料 , 化学包覆 , 粉体形貌 , 电阻率

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