曹章轶
,
孙卓
,
郭平生
,
陈奕卫
无机材料学报
采用低压化学气相沉?积(LPCVD)在镍片上制备了厚度在400～1000μm范围的碳纳米管(CNTs)薄膜, 研究了碳源(乙炔)流量对碳纳米管薄膜形貌
和结构的影响. 随乙炔流量的增加, 碳纳米管薄膜厚度和产量增大. 电子显微镜和拉曼光谱研究结果表?明, 在乙炔流量为10sccm下制备的碳纳
米管直径分布范围最小(10～100nm), 石墨化程度最高, 缺陷密度最小, 晶形最完整. 随着乙炔流量的增大(30～90sccm), 碳纳米管的直径分布
范围增大(10～300nm), 石墨化程度降低, 缺陷密度增大, 非晶化程度增加. 因此, 通过碳源流量可以控制碳纳米管薄膜的形貌和结构.
关键词:
碳纳米管(CNTs)
,
chemical vapor deposition
,
SEM
,
TEM
,
Raman spectra
曹章轶
,
孙卓
,
郭平生
,
陈奕卫
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.01.013
采用低压化学气相沉积(LPCVD)在镍片上制备了厚度在400～1000μm范围的碳纳米管(CNTs)薄膜,研究了碳源(乙炔)流量对碳纳米管薄膜形貌和结构的影响.随乙炔流量的增加,碳纳米管薄膜厚度和产量增大.电子显微镜和拉曼光谱研究结果表明,在乙炔流量为10sccm下制备的碳纳米管直径分布范围最小(10～100nm),石墨化程度最高,缺陷密度最小,晶形最完整.随着乙炔流量的增大(30～90sccm),碳纳米管的直径分布范围增大(10～300nm),石墨化程度降低,缺陷密度增大,非晶化程度增加.因此,通过碳源流量可以控制碳纳米管薄膜的形貌和结构.
关键词:
碳纳米管(CNTs)
,
化学气相沉积(CVD)
,
扫描电镜(SEM)
,
透射电镜(TEM)
,
拉曼光谱
曹章轶
,
王红光
,
华缜
,
孙卓
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.04.006
采用化学气相沉积法,以乙炔为碳源,在各种钯膜上制备了碳纳米管薄膜.通过电子显微镜观察了碳管薄膜和钯膜的表面形貌.结果表明,在真空气氛下磁控溅射的钯膜上无法生长碳纳米管.对溅射的钯膜进行大气气氛下的退火处理,则可生长出稀疏的碳纳米管团聚颗粒.采用在氧气气氛下磁控溅射的钯膜作为催化剂,则可显著提高碳管的生长密度和纯度,从而获得致密均匀的碳纳米管薄膜.
关键词:
碳纳米管
,
钯膜
,
化学气相沉积
曹章轶
,
吴敏
,
张冬冬
机械工程材料
doi:10.11973/jxgccl201508014
采用低温三步共蒸发法在柔性聚酰亚胺衬底上制备了铜铟镓硒(CIGSe)薄膜,利用扫描电子显微镜和X射线衍射仪表征了CIGSe薄膜的结晶质量和晶体结构,探讨了低温沉积工艺中第二步和第三步衬底温度与薄膜晶粒尺寸、织构取向和结晶性能的关系.结果表明:随着第二步和第三步衬底温度同时升高,CIGSe薄膜的晶粒尺寸逐渐增大,镓的两相分离现象逐渐消失;保持第二步衬底温度不变,随着第三步衬底温度进一步升高,CIGSe薄膜的晶粒尺寸继续增大,薄膜的结晶质量显著改善;第二步和第三步衬底温度的变化对CIGSe薄膜的织构取向基本没有影响.
关键词:
铜铟镓硒薄膜
,
衬底温度
,
低温生长
,
结晶质量
