曾胜男
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刘家祥
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张楠
稀有金属材料与工程
以金属铟和结晶四氯化锡为原料,采用溶胶-凝胶工艺,用浸渍提拉法在石英玻璃基体上制备ITO透明导电薄膜.采用XRD,AFM,四探针电阻率仪,紫外分光光度计对薄膜的晶型结构,表面形貌,方电阻和透光率进行了测定和分析,研究了热处理温度和提拉层数对薄膜光电性能的影响.结果表明:随着热处理温度的升高,薄膜的方电阻显著降低,透光率也不断增大,但是当后处理温度大于750℃时,透光率略有降低,方电阻仍然降低.
关键词:
ITO前驱物浆料
,
溶胶-凝胶法
,
微观组织结构
,
光电性能
张楠
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刘家祥
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曾胜男
稀有金属材料与工程
以金属铟和锡盐为原料采用胶体法制备Sn掺杂三氧化二铟(ITO)前驱物浆料,通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜.研究了不同Sn掺杂量5%～20%(质量分数,下同)对ITO薄膜光电性能的影响.用分光光度计和四探针电阻仪检测ITO薄膜,样品的光电性能,并对其进行X射线衍射分析.结果表明:当Sn掺杂量为10%时薄膜的方电阻最小,为153 Ω/□,不同Sn掺杂的ITO膜均为单一的立方铁锰矿结构;薄膜在可见光区平均透过率≥82%.基于对不同Sn掺杂量的ITO薄膜XRD数据分析,研究了ITO薄膜的结构特性,并讨论了薄膜的导电机制.结果表明:胶体法制备的ITO薄膜的自由载流子主要来源于氧缺位提供的导电电子.通过对ITO薄膜吸收系数的线性拟合表明,薄膜中自由电子由价带至导带的跃迁属于直接跃迁,且光学能隙值随Sn掺杂量的增加呈先增加后减小的趋势,在Sn掺杂量为15%时为最大值3.65 eV.
关键词:
ITO薄膜
,
胶体法
,
掺杂
,
导电机制
,
光学能隙
朴圣洁
,
刘家祥
,
曾胜男
稀有金属材料与工程
以金属铟和结晶四氯化锡为原料,加入各种添加剂制备了稳定的ITO前驱物浆料.利用Zeta电位、扫描电镜、沉降试验研究了分散剂PEG对浆料稳定性能的影响.结果表明,分散剂PEG与ITO前驱物氢氧化物胶粒表面建立了较强的氢键,通过空间位阻稳定作用提高了浆料的稳定性;PEG的加入可使浆料中固体颗粒分散均匀,颗粒粒度主要分布在50～100 nm之间;沉降试验和粘度的测定表明,浆料pH值在8.0,分散剂PEG用量在1.0%～2.0%(质量分数,下同),粘度在2.1～2.6mPa·s时,在沉降120 h后的浆料中,固体颗粒沉降体积百分比在10%以内,能够保证浆料的相对稳定.
关键词:
ITO前驱物浆料
,
分散剂
,
粘度
,
性能
