阳明明
,
莫亚娟
,
王晓丹
,
曾雄辉
,
刘雪华
,
黄俊
,
张纪才
,
王建峰
,
徐科
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150399
以透射电镜中的弱束衍衬成像和高分辨相位衬度成像为主要表征手段,辅以X射线衍射、拉曼光谱等测试方法,对AlN:Er样品在退火过程中的微观结构演变过程进行了深入分析.在透射电镜观察下,Er离子注入的AlN样品在退火前存在三个区域:区域Ⅰ为自表面以下约30 nm深度;区域Ⅱ为区域I以下约50 nm深度;区域Ⅲ为区域Ⅱ以下的部分,其中区域Ⅱ为损伤最为严重的区域.在较低的温度(如1025℃时)退火后,区域Ⅰ消失;但1200℃退火后,又重新可以观察到区域Ⅰ.结合TEM、XRD和Raman测试结果,从损伤恢复和应力释放的角度对上述实验现象进行了理论解释:由于Er离子半径和基体原子半径的差异,在区域Ⅱ中引入较大的应力;在1025℃退火时,来自区域Ⅱ的应力作用于区域Ⅰ,导致区域Ⅰ发生大的晶格扭曲,和区域Ⅱ合并,用TEM观察不到;在1200℃退火时,应力在表面释放,区域Ⅰ的晶格扭曲修复,从而用TEM可重新观察到.
关键词:
AlN:Er
,
离子注入
,
微观结构演变
介明印
,
赵广军
,
何晓明
,
曾雄辉
,
庞辉勇
,
张连瀚
,
徐军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.030
本文综述了铈离子掺质硅酸钆(Ce:Gd2SiO5)闪烁晶体的结构、闪烁性能、闪烁机理及晶体生长的研究现状,重点讨论了Ce:GSO闪烁晶体生长的研究进展;提出了硅酸钆闪烁晶体未来研究发展的几个方向为:大尺寸晶体的生长、高光输出的研究、混合型硅酸钆晶体的研究等.
关键词:
Ce:Gd2SiO5
,
闪烁晶体
,
晶体生长
,
光学性能
介明印
,
赵广军
,
曾雄辉
,
何晓明
,
张连翰
,
夏长泰
,
徐军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.025
本文用中频感应提拉法生长出尺寸为φ30mm×150mm,质量好的GSO:Ce晶体.并对晶体进行XRD测试和差热分析,初步分析引起晶体开裂的原因,最后测试了晶体室温下的吸收和荧光光谱等,GSO:Ce晶体发射峰为433nm,晶体在大于400nm范围其光透过率大于80%.
关键词:
硅酸钆晶体
,
闪烁晶体
,
提拉法生长
,
开裂
,
荧光光谱
王晓丹
,
潘涛
,
臧涛成
,
马春兰
,
徐晓东
,
徐军
,
曾雄辉
人工晶体学报
采用提拉法生长Yb~(3+)掺杂浓度为10 at%的Yb: Lu_3Al_5O_(12)(Yb: LuAG)晶体.对晶体的结晶质量、晶胞参数、分凝系数等进行了表征.采用化学腐蚀的方法,利用光学显微镜和扫描电镜相结合研究了晶体中的缺陷.结果表明晶体具有较好的结晶质量,Yb~(3+)的掺入不会改变LuAG的晶体结构.观察到Yb: LuAG晶体(111)面上呈三角锥形的位错蚀坑和由小面引起的晶体应力双折射现象,并提出了减少缺陷,提高晶体质量的方法.
关键词:
Yb:LuAG晶体
,
晶胞参数
,
位错
,
应力
李红军
,
赵广军
,
曾雄辉
,
钱振英
,
郭聚平
,
周圣明
,
徐军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.027
本文报导了Ce:YAP晶体位错蚀坑的腐蚀条件;同时报导了几个主要晶面的位错蚀坑形貌,(100)面呈扁豆形,(010)面呈菱形,(101)面呈椭圆形,这些形状与各自晶面的对称性一致.通过蚀坑形貌在晶体横截面内观察到了小面生长核心区和熔质尾迹等缺陷,并分析了其成因.
关键词:
Ce:YAP晶体
,
闪烁晶体
,
位错
,
腐蚀形貌
李红军
,
赵广军
,
曾雄辉
,
钱振英
,
郭聚平
,
周圣明
,
徐军
无机材料学报
通过腐蚀形貌和XRD摇摆曲线,观察到了垂直和平行于Ce:YAP[010]方向的两组晶面内存在的小角度晶界(镶嵌结构间界),根据SEM形貌估算出(010)面内小角晶界的夹角为51”;四晶XRD摇摆曲线的结果表明,平行于[010]向的晶面内小角晶界的夹角为58”;摇摆曲线的半峰宽为54”,根据Darwin理论算出理想晶体的半峰宽为17”,并由此分析了晶体的完整性.
关键词:
Ce:YAP晶体
,
scintillating crystal
,
low-angle boundary
庞辉勇
,
赵广军
,
介明印
,
曾雄辉
,
夏长泰
,
周圣明
,
徐军
无机材料学报
随着第三代同步辐射源的出现,由荧光屏和CCD耦合组成的、具有亚微米级空间分 辨率、快速在线成像功能的探测器在医疗、安检、工业、科研等领域将会得到广泛应用.本文主 要综述了成像荧光屏用材料的概况和发展趋势,重点阐述了闪烁单晶薄膜的研究及发展情况.
关键词:
亚微米成像
,
fluorescent screens
,
inorganic scintillation single crystal films
,
liquid phase epitaxy
李红军
,
赵广军
,
曾雄辉
,
钱振英
,
郭聚平
,
周圣明
,
徐军
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.05.036
通过腐蚀形貌和XRD摇摆曲线, 观察到了垂直和平行于Ce:YAP [010]方向的两组晶面内存在的小角度晶界(镶嵌结构间界), 根据SEM形貌估算出(010)面内小角晶界的夹角为51"; 四晶XRD摇摆曲线的结果表明, 平行于[010]向的晶面内小角晶界的夹角为58"; 摇摆曲线的半峰宽为54", 根据Darwin理论算出理想晶体的半峰宽为17", 并由此分析了晶体的完整性.
关键词:
Ce:YAP晶体
,
闪烁晶体
,
小角晶界
庞辉勇
,
赵广军
,
介明印
,
曾雄辉
,
夏长泰
,
周圣明
,
徐军
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.02.002
随着第三代同步辐射源的出现,由荧光屏和CCD耦合组成的、具有亚微米级空间分辨率、快速在线成像功能的探测器在医疗、安检、工业、科研等领域将会得到广泛应用.本文主要综述了成像荧光屏用材料的概况和发展趋势,重点阐述了闪烁单晶薄膜的研究及发展情况.
关键词:
亚微米成像
,
荧光屏
,
无机闪烁单晶薄膜
,
液相外延
曾雄辉
,
赵广军
,
杭寅
,
张连翰
,
王静雅
,
徐军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.030
本文采用中频感应提拉法成功生长了LaAlO3和Ce3+:LaAlO3晶体.沿生长方向即α轴方向切割、抛光后得到实验样品.测试了氢气退火前后纯LaAlO3和Ce3+:LaAlO3从190nm到2500nm的吸收谱和透过谱.测试结果表明:纯LaAlO3晶体在196～220nm处出现宽带吸收,氢气退火后此一波段的吸收系数明显降低;未退火的Ce:LaAlO3晶体在196～209nm,246nm,314nm出现明显的吸收波段,氢气退火后其吸收谱发生显著变化,在198,206,214,246和314nm处出现对应于Ce3+的4f-5d的跃迁吸收;Ce:LaAlO3晶体较之纯LaAlO3晶体在红外区的透过率要高;氢气退火后,Ce:LaAlO3晶体和纯LaAlO3晶体在红外区的透过率下降.
关键词:
Ce:LaAlO3
,
提拉法
,
退火
,
吸收光谱
,
透过光谱
