朱亚彬
,
周岳亮
,
熊季午
,
王淑芳
,
刘震
,
张芹
,
陈正豪
,
吕惠宾
,
杨国桢
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z2.028
电泳方法具有工艺简单,成本低廉,基底的形状和尺寸不受限制,膜厚容易控制的特点.本文采用电泳方法在00l取向的MgO基底上制备高温超导YBCO厚膜.在后退火过程中,采用籽晶诱导熔融生长法,成功制备转变温度约85K,转变宽度约3K的YBCO超导厚膜.X射线衍射结构分析揭示了在MgO基片上生长的样品绝大部分都是Y123相c轴取向的晶粒,少部分是Y211相的晶粒.此结果与通过扫描电子显微镜观察膜表面的形貌得到的结论是一致的.通过扫描电子显微镜的剖面图,可以看到生长非常清晰紧凑的,厚度约30μm的YBCO膜层.所制备YBCO厚膜样品用磁滞回线法估算其最高临界电流密度为0.978×103A/cm2,高于文献中用电泳法制备YBCO厚膜的最高临界电流密度.
关键词:
YBCO厚膜
,
电泳沉积
,
熔融织构
张芹
,
朱亚彬
,
王淑芳
,
路庆凤
,
周岳亮
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.02.011
本文首次报道了利用电泳技术在铁和不锈钢基底上制备MgB2超导带材.电阻测量表明,沉积在铁和不锈钢基底上MgB2带材的超导零电阻转变温度分别为37.5K和31K,超导转变宽度分别为0.3K和1K.磁测量表明,(5K,OT)时不锈钢基底上带材的临界电流密度为6×105(A/cm2).X射线衍射谱和扫描电子显微镜图象表明样品结晶良好,晶粒生长致密.本工艺制备MgB2带材时不受系统真空度的限制,生长迅速,成本低廉,并且可以根据不同的需要任意选择基底的形状和大小.
关键词:
电泳
,
MgB2
,
带材
,
基底
柯笑晗
,
陈云琳
,
朱亚彬
,
范天伟
人工晶体学报
在铌酸锂(LN)晶体衬底上磁控溅射铟锡氧化物(ITO)薄膜,研究了射频磁控溅射制备ITO/LN薄膜的最佳工艺.采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)分析了透明导电ITO膜的制备工艺参数对薄膜表面形貌和晶体结构的影响,同时应用四探针电阻率测量和紫外可见光谱测量技术对所研制的ITO/LN膜的光电性质进行了研究.结果表明,衬底温度为320℃,溅射时间50 min时制备的ITO/LN薄膜具有最佳光电性质,在该条件制备出薄膜的电阻率为3.41×10-4Ω·cm,ITO/LN平均可见光透光率可达74.38％,平均透光率比LN衬底提高了1.1％.应用该溅射条件制备了泰伯效应位相阵列器,其近场衍射成像的相对光强可达0.67.
关键词:
ITO薄膜
,
铌酸锂
,
磁控溅射
,
光电性质
刘震
,
朱亚彬
,
周岳亮
,
戴守愚
,
王淑芳
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.02.017
超导体/半导体结(Superconductor/semiconductor p-n junction)在制备场效应管,晶体管方面具有巨大的潜力.本文通过脉冲激光沉积的方法,使用Nb掺杂的(100)方向SrTiO3作为薄膜衬底,沉积了厚度约为350nm c轴取向的YBa2Cu3O7-δ薄膜,从而得到YBa2Cu3O7-δ/Nb:SrTiO3双层结.R～T曲线,以及XRD曲线显示YBa2Cu3O7-δ薄膜具有良好的超导电性和晶体结构,在零磁场不同温度下测量得电流-电压曲线显示YBa2Cu3O7-δ/Nb:SrTiO3构成的超导体/半导体双层结在小于YBa2Cu3O7-δ临界转变温度Tc时具有p-n结整流特性,当大于YBa2Cu3O7-δ超导转变温度时,呈现出非典型肖特基结的特性.
关键词:
脉冲激光沉积
,
YBa2Cu3O7-δ
,
Nb:SrTiO3
,
超导体/半导体结
,
能带结构
朱亚彬
,
周岳亮
,
戴守愚
中国稀土学报
用电泳法在厚度为5 mm×10 mm×0.5 mm的YBa2Cu3O7-δ上沉积厚约70 μm的 La0.8Te0.2MnO3 形成La0.8Te0.2MnO3/YBa2Cu3O7-δ (F/S)双层结构. 通过扫描电子显微镜观察双层结构剖面的形貌, 采用标准的四引线法测量YBa2Cu3O7-δ层的电阻特性. 在F/S双层结构中通入1 mA的注入电流, 无论电流从S层流入F层(+Iinj), 或者电流从F层流入S层(-Iinj), 正常电阻均比未加注入电流时的电阻低; 超导转变温度均比未加注入电流的转变温度高.
关键词:
金属材料
,
庞磁电阻
,
超导电性
,
注入电流
,
稀土
